[发明专利]多芯片集成E波段接收模块

权利要求书

1.一种多芯片集成E波段接收模块，包括外部封装盒体，外部封装盒体包括金属上基座（61）和金属下基座（62）；其特征在于，

金属上基座（61）和金属下基座（62）形成的腔体内设置有电路，所述电路包括SMA到微带过渡（1）和中频低通滤波电路（2）、本振电路以及下变频电路；其中将SMA到微带过渡（1）和中频低通滤波电路（2）简称为第一电路；

所述本振电路包括本振放大芯片（4）、微带耦合传输线（41）、微带波导过渡结构（42）、键合金丝及第一直流偏置电路（71）和第二直流偏置电路（72）；

所述下变频电路包括微带波导过渡结构（42）、低噪放大芯片（5）、下混频芯片（3）、键合金丝及第三直流偏置电路（73）；所述第一电路的输出端分别连接本振电路的输入端和下变频电路的输入端；

所述金属下基座（62）底部腔体（8）内设有直流电源电路板（81），所述直流电源电路（81）与第一直流偏置电路（71）和第二直流偏置电路（72）分别通过直流绝缘子相连；直流电源电路（81）和第三直流偏置电路（73）通过直流绝缘子相连。

2.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述金属上基座（61）和金属下基座（62）组成的腔体侧面分别设置标准SMA接头（65）的中频输入端、标准波导法兰结构（63）的本振输入端以及标准波导法兰结构（64）的射频输出端。

3.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述金属上基座（61）和金属下基座（62）通过第一定位销（91）和第二定位销（92）连接。

4.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述金属上基座（61）和金属下基座（62）由铜或铝制成，且先由精密机床做精密数控铣，然后在表面镀金或银。

5.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述第一电路为SMA到微带过渡（1）和中频低通滤波电路（2），通频带DC～18 GHz。

6.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述本振电路本振放大芯片本体（4）的输入端和输出端分别通过键合金丝与微带耦合传输线（41）和微带波导过渡结构（42）实现电气连接；

所述本振放大芯片本体（4）一侧的直流端由键合金丝分别与第一芯片电容（47）和第二芯片电容（48）实现电气连接，第一芯片电容（47）和第二芯片电容（48）由键合金丝分别与第二直流偏置电路（72）实现电气连接，第二直流偏置电路（72）由键合金丝与直流绝缘子实现电气连接；所述放大芯片本体（4）另一侧与第一直流偏置电路（71）的电气连接情况与上述连接方式相同。

7.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述下变频电路中的下混频芯片（3）的本振输入端通过键合金丝与微带耦合传输线（41）实现电气连接；

所述下混频芯片（3）的射频输入端通过键合金丝与低噪放大芯片（5）实现电气连接；所述下混频芯片（3）的中频输出端通过键合金丝与中频低通滤波电路（2）实现电气连接；

所述低噪放大芯片（5）的输入端和输出端分别通过键合金丝与微带波导过渡（42）和下混频芯片（3）实现电气连接；

所述低噪放大芯片（5）一侧的直流端由键合金丝与第三芯片电容（49）实现电气连接，第三芯片电容（49）由键合金丝与第三直流偏置电路（73）实现电气连接，第三直流偏置电路（73）由键合金丝与直流绝缘子实现电气连接；另一侧与第二直流偏置电路（72）的电气连接情况与上述连接方式相同。

8.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述微带波导过渡结构包括扇形探针和输出波导结构，所述微带波导过渡结构具有宽带特性，覆盖70GHz～90GHz频率范围。

9.根据权利要求1所述的多芯片集成E波段接收模块，其特征在于：所述低通滤波电路（2）、微带耦合传输线（41）、微带波导过渡结构（42）、低噪放大芯片（5）的基片厚度为127～254μm，所用材料是复合介质基片、陶瓷基片或石英基片。