[发明专利]一种大功率LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201310037404.3 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094437A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 徐琦;郑远志;康建;陈静;盛成功 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 芯片 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底，所述衬底的正面具有多个LED芯片；
在衬底背面形成具有镂空图形阵列的阻挡层，所述镂空图形的位置与正面的LED芯片逐一对应，所述衬底背面通过所述镂空图形暴露出来；
通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成反射镜阵列；
移除阻挡层；
沿着反射镜阵列之间的间隙切割所述衬底，以获得背面具有反射镜的LED芯片。
2.如权利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射镜为芯片全角反射镜，其制作方法包括采用电子束蒸发或者磁控溅射工艺在衬底背面蒸镀一层以上的双介质膜及多层金属膜。
3.如权利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：所述切割步骤采用激光划片工艺。
4.如权利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射镜之间的距离范围是1至100μm。
5.如权利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：在形成阻挡层的步骤之后进一步包括通过阻挡层的镂空图形在衬底背面形成分布布拉格反射镜的步骤，所述反射镜进一步形成在分布布拉格反射镜的表面。
6.如权利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：在形成阻挡层的步骤之前进一步如下步骤：
在衬底的背面制作光刻标记；
在衬底背面形成分布布拉格反射镜。
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