[发明专利]具有其中有间隙的双密封环的集成电路有效
申请号: | 201310037444.8 | 申请日: | 2009-10-01 |
公开(公告)号: | CN103094221A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 诺曼·小弗雷德里克;汤姆·迈尔斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/58 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 其中 间隙 密封 集成电路 | ||
1.一种用于集成电路的密封系统,其包含:
密封环,其限定所述集成电路,所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道,所述入口部分从所述出口部分偏移。
2.根据权利要求1所述的密封系统,其进一步包含所述沟道内的掺杂较不重的区域,借此对跨越所述沟道的信号传播的抵抗力得以增加。
3.根据权利要求1所述的密封系统,其中所述入口与所述出口分离开至少100um。
4.一种用于集成电路的密封系统,其包含:
密封装置,其限定所述集成电路,所述密封装置包括具有入口部分及出口部分的至少一个分离装置,所述入口部分从所述出口部分偏移。
5.根据权利要求4所述的密封系统,其进一步包含所述分离装置内的掺杂较不重的区域,借此对跨越所述分离装置的信号传播的抵抗力得以增加。
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