[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201310037525.8 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103972356A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 周昀佑;陈科华 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括以下几个步骤:
提供一发光二极管芯片;
将该发光二极管芯片设置于透镜的成型模具中,然后射出成型透镜,使发光二极管芯片与透镜一体结合;
提供一表面具有电极构造的基板;
将透镜连同发光二极管芯片一起固定于该基板上,同时使得透镜上的发光二极管芯片与电极构造形成电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在将透镜连同发光二极管芯片一起固定于基板上之前,预先在基板的电极构造上点上焊锡或者导电胶,使得透镜被固定于基板上时,发光二极管芯片与电极构造通过焊锡或者导电胶相接触而形成电连接。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在将透镜连同发光二极管芯片一起固定于基板上时,该发光二极管芯片与基板上的电极构造直接接触而形成电连接。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:成型后的透镜包括一光学部及自该光学部底部周缘向下凸伸的支撑部,所述发光二极管芯片一体结合于该光学部的底部中心,并且其底面从该光学部的底部露出。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述基板包括上表面及与该上表面相对的下表面,电极构造形成在基板的上表面上,所述基板上位于电极构造的相对两侧还分别开设形成有与透镜的支撑部相对应的凹槽,所述透镜通过支撑部嵌合于基板的凹槽中而被固定在基板上。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述电极构造包括相互间隔的第一电极及第二电极,该第一电极及第二电极是设置于基板中,并且其上表面与基板的上表面齐平。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述透镜通过固定胶被固定于基板上。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述透镜的光轴与所述发光二极管芯片的中心轴重合。
9.一种发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构由权利要求1至8任意一项所述的制造方法制成。
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