[发明专利]π型五端口E面功分器

权利要求书

1.π型五端口E面功分器，其特征在于,包括耦合腔（6），1个输入端口（1），输出端口A（3）、输出端口B（5）、隔离端口A（2）和隔离端口B（4），所述输入端口（1）位于耦合腔（6）的前端面，输出端口A（3）和输出端口B（5）位于耦合腔（6）的左端面和右端面，左端面和右端面为耦合腔（6）互相对立的两个对立面，耦合腔（6）在水平面上某一方向的尺寸小于或等于该π型五端口E面功分器的最高工作频率对应的自由空间波长的一半，输入端口（1），输出端口A（3）、输出端口B（5）、隔离端口A（2）和隔离端口B（4）中至少3个端口电场的水平分量大于其垂直分量。

2.根据权利要求1所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，输入端口（1），输出端口A（3）、输出端口B（5）、隔离端口A（2）和隔离端口B（4）的法线方向与水平面之间的夹角小于30度，输出端口A（3）和隔离端口A（2）在水平面上的投影均在输入端口（1）在水平面上的投影的左侧；输出端口B（5）和隔离端口B（4）在水平面上的投影都在输入端口（1）在水平面上的投影的右侧。

3.根据权利要求2所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，输出端口A（3）、输出端口B（5）的法线在水平面上的投影与输入端口（1）的法线或输入端口（1）的法线的反方向在水平面上的投影之间的夹角大于60度小于120度，隔离端口A（2）和隔离端口B（4）位于耦合腔（6）的后端面，隔离端口A（2）和隔离端口B（4）的法线在水平面上的投影与输入端口（1）的法线或输入端口（1）的法线反方向在水平面上的投影之间的夹角大于60度小于120度。

4.根据权利要求2所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，所述耦合腔（6）为单连通空腔结构，即该耦合腔（6）内部的任何封闭曲线都可以在该耦合腔（6）内连续收敛到一个点。

5.根据权利要求2所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，在所述耦合腔(6)的左内壁和右内壁设置有凹槽A（91）或凸台A（92），且凹槽A（91）的开口方向指向耦合腔（6）内部，凸台A（92）的凸起方向指向耦合腔（6）内部。

6.根据权利要求5所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，所述耦合腔（6）上内壁或/和下内壁设置有至少一个调节耦合用的耦合体，上内壁和下内壁均为耦合腔（6）互相对立的两个对立面；耦合体为凹槽B（12）或金属凸台B（11）；所述凹槽B（12）的开口方向指向耦合腔（6）内部，所述金属凸台B（11）的凸起方向指向耦合腔（6）内部；耦合腔（6）内相对于输入端（1）的耦合腔（6）的内壁上设置有匹配体（7），匹配体（7）只在上端或/和下端或/和侧面与耦合腔内壁连接；在隔离端口A（2）、隔离端口B（4）中设置有金属体，该金属体为金属体（8）。

7.根据权利要求6所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，所述耦合腔（6），输入端口（1），输出端口A（3）、输出端口B（5）、隔离端口A（2）、隔离端口B（4）、匹配体（7)、凹槽B（12）、金属凸台B（11）、金属凸起（8）、凹槽A（91）和凸台A（92）相对于输入端的法线方向呈左右镜像对称排布。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，所述的输入端口（1）、输出端口A（3）、输出端口A（3）、隔离端口A（2）、隔离端口B（4）为空波导或脊波导或带线或同轴结构。

9.根据权利要求1-6中任意一项所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，所述输入端口（1）的横截面、隔离端口A（2）的横截面、隔离端口B（4）的横截面、输出端口A（3）的横截面、输出端口B（5）的横截面均为矩形。

10.根据权利要求1-6中任意一项所述的π型五端口E面功分器，其特征在于，所述输入端口（1）的上表面、隔离端口A（2）的上表面、隔离端口B（4）的上表面以及输出端口A（3）的上表面、输出端口B（5）的上表面均与耦合腔（6）的上表面齐平。