[发明专利]用于CMOS图像传感器的可变电压行驱动器有效
申请号: | 201310037820.3 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103248839A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 徐志浩;张光斌 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 可变 电压 驱动器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
多个像素,其布置在列和行的阵列中;
行驱动器,其耦合到所述阵列的一行中的像素以将可变驱动电压提供给所述行的所述像素中所包含的驱动晶体管;以及
控制逻辑电路,其经耦合以将一个或一个以上控制逻辑信号提供给所述行驱动器,其中所述行驱动器响应于所述一个或一个以上控制逻辑信号而调整所述驱动电压的量值。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述行驱动器是“与非”门,所述“与非”门输出具有响应于所述一个或一个以上控制逻辑信号的多个离散非零电压电平的所述驱动电压。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述离散非零电压电平的数目与耦合到所述“与非”门的输入的所述控制逻辑信号的数目相同。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述行驱动器包括多个开关单元,所述多个开关单元包含经耦合以接收所述控制逻辑信号的最高有效位MSB的第一开关单元,其中所述第一开关单元响应于所述MSB处于第一逻辑状态而将所述行驱动器的输出耦合到第一电压源,所述多个开关单元包括耦合到所述第一开关单元的第二开关单元,其中所述第一开关单元响应于所述MSB处于第二逻辑状态而将所述行驱动器的所述输出耦合到所述第二开关单元。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述第二开关单元经耦合以接收所述控制逻辑信号的第二位,且其中所述第二开关单元响应于所述MSB处于所述第二逻辑状态且所述第二位处于所述第一逻辑状态而将所述行驱动器的所述输出耦合到第二电压源。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述多个开关单元经配置以响应于所述控制逻辑信号的其相应位中的每一者处于所述第二逻辑状态而将所述行驱动器的所述输出耦合到接地。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中所述第一逻辑状态是逻辑低且所述第二逻辑状态是逻辑高。
8.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述第一开关单元包括第一开关和第二开关,所述第一开关单元的每一开关经耦合以由所述控制逻辑信号的所述MSB控制,其中所述第一开关经配置以响应于所述MSB处于所述第一逻辑状态而将所述第一电压源耦合到所述行驱动器的所述输出,且所述第二开关经配置以响应于所述MSB处于所述第二逻辑状态而将所述行驱动器的所述输出耦合到所述第二开关单元。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述第一和第二开关中的一者包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管p-MOSFET,且所述第一和第二开关中的另一者包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管n-MOSFET。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述图像传感器是互补金属氧化物半导体“CMOS”图像传感器。
11.一种图像传感器,其包括:
多个像素,其布置在列和行的阵列中;
控制逻辑电路,其经耦合以提供第一控制逻辑信号和第二控制逻辑信号;以及
行驱动器,其耦合到所述阵列的一行中的像素以将可变驱动电压提供给所述行的所述像素中所包含的驱动晶体管,且响应于一个或一个以上控制逻辑信号而调整所述驱动电压的量值,其中所述行驱动器包括:
第一开关单元,其经耦合以接收所述第一控制逻辑信号,其中所述第一开关单元响应于所述第一控制逻辑信号处于第一逻辑状态而将所述行驱动器的输出耦合到第一电压源;
第二开关单元,其耦合到所述第一开关单元,其中所述第一开关单元响应于所述第一控制逻辑信号处于第二逻辑状态而将所述行驱动器的所述输出耦合到所述第二开关单元,其中所述第二开关单元经耦合以接收所述第二控制逻辑信号,且其中所述第二开关单元响应于所述第一控制逻辑信号处于所述第二逻辑状态而将所述行驱动器的所述输出耦合到第二电压源。
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