[发明专利]一种高纯铟的制备方法有效
申请号: | 201310038246.3 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103103566A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 王晓光;贺周初;彭爱国;肖伟;余长艳;闻杰;刘艳 | 申请(专利权)人: | 湖南化工研究院 |
主分类号: | C25C1/22 | 分类号: | C25C1/22;C22B9/02;C22B58/00 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 杨慧 |
地址: | 410007 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种高纯铟的制备方法,尤其是质量含量为5N(99.999%)~7N(99.9999%)高纯铟的制备方法。
背景技术
铟属于稀有金属,具有独特的物理和化学性能,可广泛应用于半导体、电子器件、透明导电涂层、荧光材料、金属有机物等领域。这些领域所使用的铟都要求是高纯的,要求铟的质量含量达5N(99.999%),甚至要求达6N(99.9999%)以上。高纯金属铟作为生产半导体光伏材料的基础原料,正引起人们的高度重视。
制备高纯铟一般以4N铟为原料,多采用两种或两种以上的提纯方法,也有文献报导采用单一方法得到高纯铟,如单一电解法制备7N铟,真空蒸馏法提纯6N铟,但都尚未见工业化报道。
我国虽然是产铟大国,但是我国铟产业技术水平与国际主要铟加工企业技术水平差距很大,目前还没有生产5N高纯铟的核心技术。
发明内容
本发明的目的是提供一种高纯铟的制备方法,其特征在于:由纯净水、分析纯浓硫酸、4N金属铟、高纯氯化钠和分析纯明胶配成硫酸铟电解液,在超净条件下采用两次电解再真空蒸馏电解铟的方法获得5N(99.999%)~7 N(99.99999%)高纯铟,其中超净条件是指空气中0.5μm以上的微粒数小于35000个/M3;纯净水是指电阻率大于15MΩ·cm的纯净水,分析纯浓硫酸是指质量含量大于98%的浓硫酸,4N金属铟是指质量含量为99.99%的金属铟,高纯氯化钠是指质量含量大于99.99%的氯化钠,明胶是指质量含量大于99%的分析纯明胶;硫酸铟电解液的组成包括铟40~90g/L,氯化钠40~90g/L,明胶0.2~0.4g/L,pH值1.0~3.0;电解的电解槽由聚氯乙烯硬质塑料板制成,阳极板由金属铟熔化铸成,阴极板由纯钛板制成;电解槽电压控制在0.18~0.21V,阴极电流密度为45A/m2,电解温度为20~28℃;电解结束后用纯净水冲洗阴极钛板获得电解铟,将经过两次电解后的电解铟再进行真空蒸馏,真空度为10Pa,蒸馏温度分别为750℃、950℃、1050℃三个温度,蒸馏时间在三个温度下分别保持1~5小时,最后获得质量含量为5N(99.999%)~7 N(99.99999%)高纯铟。
具体操作步骤如下:
(1)一次电解
用纯净水、高纯浓硫酸、4N铟、高纯氯化钠和明胶配成硫酸铟电解液,使硫酸铟电解液中铟质量含量为40~90g/L,氯化钠质量含量为40~90g/L,明胶质量含量为0.2~0.4g/L;将质量含量为4N金属铟熔化铸成阳极板,阴极使用钛板,在聚氯乙烯硬质塑料板做成的电解槽中进行电解。电解时槽电压控制在0.18~0.21V左右,阴极电流密度为45A/m2,pH值为1.0~3.0,室温为20~28℃。在上述条件下电解7天,电解结束后在阴极钛板上析出铟片,用纯净水反复冲洗10次,得一次电解铟。
(2)二次电解
以一次电解铟为原料,一部分熔化铸成二次电解阳极板,另一部分用于配制二次电解液,二次电解液组成与一次电解液组成相同。在与一次电解相同的条件下进行二次电解,二次电解结束后在阴极钛板上析出铟片,用纯净水反复冲洗10次,得二次电解铟。
(3)真空蒸馏
称取二次电解铟,放入石墨方舟中,并将盖子盖上,然后将方舟放在管式真空炉中,抽真空至10Pa,在750℃、950℃、1050℃三个温度下分别保持1~5小时蒸馏,最后得到质量含量5N(99.999%)~7 N(99.99999%)的高纯铟。
本发明由于采用二次电解再真空蒸馏电解铟法最后制得5N(99.999%)~7 N(99.99999%)的高纯铟产品,既利用了电解提纯法灵活性大、选择性强、转化率高的优点,二次电解后增加真空蒸馏物理提纯步骤,又避免了试剂带来污染的问题,保障了铟产品的高纯度,易于产业化。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
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