[发明专利]一种改性光缆绕线盘及其制备方法

权利要求书

1.一种改性光缆绕线盘材料，其特征在于其原料按质量百分比构成为：

2.根据权利要求1所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于所述改性纳米氮化硅晶须是按以下方法改性后得到的改性纳米氮化硅晶须：

1)将纳米氮化硅晶须浸入质量浓度≥60％的硝酸溶液中，所述硝酸溶液与所述纳米氮化硅晶须的质量比大于3∶1，于80-125℃反应12-72小时，反应结束后用蒸馏水洗涤至中性，真空干燥后得到羧基化纳米氮化硅；

2)将二氯亚砜与所述羧基化纳米氮化硅混合，其中二氯亚砜的质量不少于所述羧基化纳米氮化硅质量的四倍，于50-90℃反应12-48小时，反应结束后用无水四氢呋喃洗涤至中性，真空干燥后得到酰氯化纳米氮化硅；

3)将所述酰氯化纳米氮化硅、十八烷基胺和苯以质量比1∶(5-15)∶(5-20)的比例混合，于50-80℃反应12-36小时，反应结束后用无水四氢呋喃洗涤至中性，真空干燥后得到改性纳米氮化硅晶须。

3.根据权利要求2所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于：

步骤1)中硝酸溶液的质量浓度为60-68％，反应温度为100-125℃，反应时间为24-72小时。

4.根据权利要求2或3所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于：

所述硝酸溶液与所述纳米氮化硅晶须的质量比为4.5-7∶1。

5.根据权利要求2所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于：

步骤2)中所述二氯亚砜与所述羧基化纳米氮化硅的质量比为4.5-10∶1，反应温度70-90℃，反应时间24-48小时。

6.根据权利要求2所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于：

步骤3)中反应温度为60-80℃，反应时间24-36小时。

7.根据权利要求1所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于：

所述抗紫外老化剂为季戊四醇硬脂酸酯。

8.根据权利要求1所述的改性光缆绕线盘材料，其特征在于：

所述脱模剂为纳米氧化钛。

9.一种权利要求1或2所述的改性光缆绕线盘的制备方法，其特征在于：

a、将尼龙6和改性纳米氮化硅晶须搅拌混合均匀，得到组份A；

b、将抗紫外老化剂和脱模剂加入白油中，抗紫外老化剂和脱模剂的总质量为白油质量的50-80％，搅拌混合均匀得到组份B；

c、将组份A和组份B混合并通过双螺杆挤塑机挤出造粒，将挤出的粒料于105-120℃干燥5-10小时后注塑成型。