[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310038638.X | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103681746B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 金头焕;洪日和;朴相河 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钝化层 第一电极 有机发光显示装置 彩色滤光片 第二电极 覆盖层 基板 有机层 覆盖 制造 | ||
根据本发明的一方面,提供有机发光显示装置,包括:基板;第一钝化层,形成在所述基板上;至少一个彩色滤光片,形成在所述第一钝化层上;覆盖层,用于覆盖所述彩色滤光片;第二钝化层,形成在所述第一钝化层上以围绕所述覆盖层;第一电极,形成在所述第二钝化层上;第二电极,与所述第一电极相对;以及有机层,设置在所述第一电极和第二电极之间。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法,具体涉及具有每个子像素(sub-pixel)被单独密封的结构的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
通常,有机发光器件(Organic Light Emitting Device,简称为OLED)具有在阳电极(阳极)与阴电极(阴极)之间插入有功能性薄膜形态的有机发光层的结构,其是从阳极注入空穴、从阴极注入电子,从而电子与空穴在有机发光层内复合从而发射光的器件。
根据驱动方式,有机电致发光器件分为被动驱动方式的无源矩阵(PassiveMatrix,简称为PM)型和主动驱动方式的有源矩阵(ActiveMatrix,简称为AM)型。在无源矩阵型OLED(PM-OLED)中,阳极和阴极只是分别单纯地排列成列(column)和行(row),从行驱动电路给阴极供应扫描信号,此时在多个行中只有一个行被选中。并且,列驱动电路给每个像素输入数据信号。另外,有源矩阵型OLED(AM-OLED)利用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称为TFT)对给每一个像素输入的信号进行控制,其适用于对数据量庞大的信号进行处理,从而经常用作用于显示动态视频的显示装置。
目前,为了实现具有低功耗和高亮室对比度(Bright Room ContrastRatio)特性的AM-OLED,经常使用正面发光方式的RGB独立沉积法。在制造过程中,RGB独立沉积方式需要使用微细金属掩模板,并且按照每一个发光颜色进行图案化。然而,由于在排列金属掩模板时的精度原因或者因掩模板尺寸的增加而引发的下倾现象等,其很难适用于大型尺寸中。作为形成RGB独立发光层的方式之一的另一种方式、即喷墨方式,虽然其具有可以使用大型尺寸基板的优点,然而目前可溶性(Soluble)材料的特性比沉积用材料的特性差,从而首先要保证物质的特性。除此之外,还有利用激光将形成在供体膜的发光层独立转印的激光热转印法(LITI),然而其对OLED器件的寿命产生影响。
考虑工序性和合格率等因素时,在白色OLED(White OLED)中采用彩色滤光片的WOLED-CF方式受人瞩目。对于WOLED-CF方式而言,为了彩色图案化(color patterning)使用彩色滤光片(color filter),并且为了对其实施平坦化使用覆盖层。然而,与无机膜不同,在彩色滤光片和覆盖层的材料中产生脱气(outgas),由此产生因有机发光层的劣化而引发的像素收缩(pixel shrinkage)现象。
发明内容
本发明为了解决如上所述的技术问题和其他技术问题,提供了一种有机发光显示装置及其制造方法,通过采用每一个子像素被单独密封的结构来有效地阻断脱气(outgas),从而防止由有机发光层的劣化所引发的像素收缩(pixel shrinkage)现象,由此可以提高产品的稳定性。
根据本发明的一方面,提供有机发光显示装置,包括:基板;第一钝化层,形成在所述基板上;至少一个彩色滤光片,形成在所述第一钝化层上;覆盖层,用于覆盖所述彩色滤光片;第二钝化层,形成在所述第一钝化层上以围绕所述覆盖层;第一电极,形成在所述第二钝化层上;第二电极,与所述第一电极相对;以及有机层,设置在所述第一电极和第二电极之间。
根据本发明的另一特征,所述彩色滤光片可以是红色滤光片、绿色滤光片以及蓝色滤光片之一。
根据本发明的再一特征,还包括:偏光膜,设置在所述基板的一面。
根据本发明的再一特征,还可以包括:黑矩阵,形成在所述第二钝化层上,以区分光透射区域和光阻断区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的