[发明专利]一种导电性高分子、其合成用氧化剂及固体电容器

权利要求书

1.一种导电性高分子合成用氧化剂溶液，包括：磺酸铁盐与溶剂，所述溶剂包括低级醇与环醚，所述低级醇选自碳原子数为1～4的一元醇中的一种或多种，所述环醚中醚键氧基个数为1或2，醚键所在环为5元环或6元环。

2.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述环醚选自四氢呋喃、四氢呋喃衍生物、四氢吡喃、四氢吡喃衍生物、二氧六环、二氧六环衍生物、二氧五环及二氧五环衍生物中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述环醚具有取代基，所述取代基为烃基，所述环醚的总碳原子数目小于或等于12。

4.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述磺酸铁盐为对甲基苯磺酸铁。

5.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中，铁与磺酸根的摩尔比为：1：2.0～4.0。

6.根据权利要求5所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中，铁与磺酸根的摩尔比为：1：2.5～3.8。

7.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中，磺酸铁盐的质量浓度为10%～75%。

8.根据权利要求7所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中，磺酸铁盐的质量浓度为40%～60%。

9.根据权利要求1所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中，环醚的质量浓度为1%~20%。

10.根据权利要求9所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，其特征在于，所述导电性高分子合成用氧化剂溶液中，环醚的质量浓度为2%~8%。

11.一种导电性高分子，其特征在于，所述导电性高分子是采用权利要求1至10任意一项所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液，或其进一步稀释所得溶液使聚合性单体进行氧化聚合而成的。

12.根据权利要求11所述的导电性高分子，其特征在于，所述聚合性单体选自噻吩、噻吩衍生物、吡咯、吡咯衍生物、苯胺及苯胺衍生物中的一种或多种。

13.根据权利要求12所述的导电性高分子，其特征在于，所述聚合性单体为噻吩或其衍生物。

14.根据权利要求13所述的导电性高分子，其特征在于，所述聚合性单体为3,4-乙撑二氧噻吩。

15.一种固体电解电容器，其特征在于，采用权利要求11至14任意一项所述的导电性高分子作为固体电解质。

16.一种固体电解电容器的制备工艺，包括步骤：将电容器芯包在氧化剂和聚合性单体的混合溶液中直接含浸；

所述氧化剂和聚合性单体的混合溶液包括权利要求1至10任意一项所述的导电性高分子合成用氧化剂溶液与聚合性单体；所述聚合性单体选自噻吩、噻吩衍生物、吡咯、吡咯衍生物、苯胺及苯胺衍生物中的一种或多种。

17.根据权利要求16所述的固体电解电容器的制备工艺，其特征在于，所述聚合性单体为噻吩或其衍生物。

18.根据权利要求17所述的固体电解电容器的制备工艺，其特征在于，所述聚合性单体为3,4-乙撑二氧噻吩。

19.根据权利要求16至18任意一项所述的固体电解电容器的制备工艺，其特征在于，所述氧化剂和聚合性单体的混合溶液还包括稀释剂，所述稀释剂选自碳原子数为1～4的饱和一元醇、丙酮、乙腈中的一种或多种。