[发明专利]一种高性能钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种高性能钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼磁体是由钕铁硼废料与富稀土合金形成的混合料通过烧结工艺制备而成，其中所述钕铁硼废料与富稀土合金在混合料中的质量百分比分别为70％-99％与1％-30％；所述钕铁硼废料包括质量百分比为29％-50％的稀土元素和质量百分比为50％-71％的其它元素；所述富稀土合金包括质量百分比为29％-70％的稀土元素和质量百分比为30％-71％的其它元素；所述钕铁硼磁体性能如下：剩磁(Br)为≥11.9kGs，内禀矫顽力(Hcj)≥15kOe，矫顽力(Hcb)≥11.2kOe，磁能积((BH)max)为34.8-48.0MGOe，方形度(HK/Hcj)为0.92-0.98。

2.根据权利要求1所述的高性能钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼废料中的稀土元素为镨(Pr)、钕(Nd)、镝(Dy)，和铽(Tb)、钬(Ho)、钆(Gd)中的一种或多种，所述钕铁硼废料中其它元素为铁(Fe)、硼(B)、铝(Al)、铜(Cu)、铌(Nb)、钴(Co)，和钛(Ti)、锆(Zr)、镓(Ga)中的一种或多种；所述富稀土合金中的稀土元素为镨(Pr)、钕(Nd)、镝(Dy)，和(Tb)、钬(Ho)、钆(Gd)中的一种或多种，所述富稀土合金中的其它元素为铁(Fe)、铝(Al)、硼(B)、铜(Cu)、铌(Nb)、钴(Co)，和钛(Ti)、锆(Zr)、镓(Ga)中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的高性能钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼废料中各成分及其质量百分比为PrNd：29％，B：0.95％，Dy：0.5％，Al：0.2％，Nb：0.2％，Ti：0.1％，Cu：0.12％，余量为Fe及不可避免的杂质；所述富稀土合金中各成分及其质量百分比为PrNd：45％，B：1.2％，Dy：10％，Al：0.25％，Nb：0.2％，Ti：0.1％，Cu：0.2％，Co：20％，Fe：68.93％；所述钕铁硼磁体的剩磁(Br)为13.96kGs，内禀矫顽力(Hcj)为15.11kOe，矫顽力(Hcb)为13.05kOe，磁能积(BH(max))为46.85MGOe，方形度(HK/Hcj)为0.98。

4.根据权利要求1或2所述的高性能钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼废料中各成分及其质量百分比为PrNd：24.5％，B：1％，Dy：4.2％，Al：0.2％，Nb：0.2％，Tb：1.2％，Cu：0.12％，余量为Fe及不可避免的杂质；所述富稀土合金中各成分及其质量百分比为PrNd20％，B：1％，Dy：30％，Al：0.25％，Nb：0.2％，Tb：20％，Cu：0.2％，Co：20％，Fe：8.35％；所述钕铁硼磁体的剩磁(Br)为11.98kGs，内禀矫顽力(Hcj)为31.12kOe，矫顽力(Hcb)为11.28kOe，磁能积(BH(max))为34.89MGOe，方形度(HK/Hcj)为0.92。

5.根据权利要求1或2所述的高性能钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼废料中各成分及其质量百分比为PrNd：28.7％，B：0.99％，Dy：2.2％，Al：0.2％，Nb：0.2％，Ga：0.15％，Cu：0.12％，余量为Fe及不可避免的杂质；所述富稀土合金中各成分及其质量百分比为PrNd：20％，B：1％，Dy：30％，Al：0.25％，Nb：0.2％，Cu：0.2％，Co：30％，Fe：18.35％；所述钕铁硼磁体的剩磁(Br)为13.05kGs，内禀矫顽力(Hcj)为21.38kOe，矫顽力(Hcb)为12.89kOe，磁能积(BH(max))为41.97MGOe，方形度(HK/Hcj)为0.98。