[发明专利]具有高效能反射结构的发光元件有效

专利信息
申请号: 201310039778.9 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103972352B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 庄耿林;曾俊龙;苏志宗;沈庆兴 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 高效能 反射 结构 发光 元件
【权利要求书】:

1.一发光元件,包含︰

基板;

发光叠层,位于该基板之上;

窗户层,位于该基板之下且接触该基板,该窗户层为绝缘材料;以及

布拉格反射结构,位于该窗户层之下,包括:

第一布拉格反射结构,位于该基板之下,具有第一数量反射层对;以及

第二布拉格反射结构,位于该第一布拉格反射结构之下,具有第二数量反射层对,其中该第一数量大于该第二数量;

其中,该布拉格反射结构对于波长介于420nm至790nm之光线具有90%以上的反射率。

2.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一布拉格反射结构的厚度大于该第二布拉格反射结构的厚度。

3.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一布拉格反射结构包含:

第一子层,位于该基板与该第二布拉格反射结构之间;以及

第二子层,位于该第一子层与该第二布拉格反射结构之间,其中该第一子层的厚度小于该第二子层的厚度。

4.如权利要求3所述的发光元件,其中该第一子层的折射率大于该第二子层的折射率。

5.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二布拉格反射结构包含:

第三子层,位于该第一布拉格反射结构之下;以及

第四子层,位于该第三子层之下,其中该第三子层的厚度小于该第四子层的厚度。

6.如权利要求5所述的发光元件,其中该第三子层的折射率大于该第四子层的折射率。

7.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一布拉格反射结构包含:

第一子层,位于该基板与该第二布拉格反射结构之间;以及

第二子层,位于该第一子层与该第二布拉格反射结构之间;以及

该第二布拉格反射结构包含:

第三子层,位于该第一布拉格反射结构之下;以及

第四子层,位于该第三子层之下,

其中该第一子层的厚度大于该第三子层的厚度,该第二子层的厚度大于该第四子层的厚度。

8.如权利要求7所述的发光元件,其中该第一子层或该第三子层的折射率为2以上。

9.如权利要求7所述的发光元件,其中该第一子层或该第三子层的材料选自由氧化钛(TiO2)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)与上述材料的组合所构成的群组。

10.如权利要求7所述的发光元件,其中该第二子层或该第四子层的材料选自由二氧化硅(SiO2)、氟化镧(LaF3)、氟化镁(MgF2)、氟化钠(NaF)、氟化钠铝(Na3AlF6)、氟化钙(CaF2)与上述材料的组合所构成的群组。

11.如权利要求1所述的发光元件,其中,该布拉格反射结构对于波长455nm,入射角θi自52度至70度之间的光线具有90%以上的反射率。

12.如权利要求1所述的发光元件,还包含一反射层,位于该第二布拉格反射结构之下。

13.如权利要求12所述的发光元件,其中该反射层包含金属。

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