[发明专利]一种N型太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种N型太阳能电池制作方法，其特征在于，包括:

提供一N型硅片，所述N型硅片的下表面包括：背面栅线区域以及背面非栅线区域；

在所述下表面形成一层掩膜层；

去除所述背面栅线区域的掩膜层；

对所述下表面进行第一次N型掺杂，在所述背面栅线区域形成第一N型掺杂区；

去除剩余的掩膜层，对所述下表面进行第二次N型掺杂，在所述背面非栅线区域形成第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；

对所述N型硅片进行退火处理；

形成正面电极结构和背面电极结构，所述正面电极结构位于所述N型硅片的上表面，所述背面电极结构位于所述N型硅片的下表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述下表面形成一层掩膜层为：

在所述下表面沉积一层氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为5μm-15μm，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述下表面进行第一次N型掺杂为：采用三氯氧磷试剂对所述下表面进行第一次磷扩散；

其中，扩散时间为20min-40min，包括端点值；扩散温度为870℃-890℃，包括端点值；扩散时氮气流量为0.2slm-1slm，包括端点值；扩散时氧气流量为0.4slm-1slm，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述下表面进行第二次N型掺杂为：采用三氯氧磷试剂对所述下表面进行第二次磷扩散；

其中，扩散时间为5min-15min，包括端点值；扩散温度为860℃-870℃，包括端点值；扩散时氮气流量为0.2slm-1slm，包括端点值；扩散时氧气流量为0.4slm-1slm，包括端点值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述N型硅片进行退火处理为：在820℃-890℃下进行退火，包括端点值；退火时间为5min-20min，包括端点值；退火时氧气的流量为0.5slm-3slm。

7.一种N型太阳能电池，其特征在于，包括：

N型硅片，所述N型硅片的下表面包括：背面栅线区域以及背面非栅线区域；

位于所述上表面的正面电极结构；

位于所述N型硅片的下表面的背面电极结构；

位于所述下表面内的第一N型掺杂区以及第二N型掺杂区；

其中，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型掺杂区位于所述背面栅线区域的表面内；所述第二N型掺杂区位于所述背面非栅线区域的表面内。

8.根据权利要求7所述的N型太阳能电池，其特征在于，所述第一N型掺杂区的方阻为15Ω-45Ω。

9.根据权利要求8所述的N型太阳能电池，其特征在于，所述第二N型掺杂区的方阻为30Ω-80Ω。

10.根据权利要求7所述的N型太阳能电池，其特征在于，所述背面电极结构包括2条或是3条背面主栅线。