[发明专利]基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

第一步，准备修饰的压印模板

（1）选择光刻模板，根据最小线宽采用不同商业光刻胶，通过传统的光刻技术将周期性或非周期性光刻模板的结构转移到玻璃衬底上的铬层上；

（2）使用氢氟酸缓冲溶液刻蚀铬层下面裸露玻璃，形成周期性半球阵列或非周期性半球结构；

（3）使用去铬溶液去掉残留的铬层，再通过去离子水洗净，进而形成纳米压印玻璃模板；

（4）根据标准半导体清洗标准步骤对将作为纳米压印玻璃模板清洗，并在用氮气吹干，之后将纳米压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰，之后酒精清洗氮气吹干备用；

第二步，对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗，并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基的甲苯溶液中修饰，之后通过酒精清洗氮气吹干；

第三步，再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶，通过压印技术将纳米压印玻璃模板图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。

2.根据权利要求1所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述（1）中铬层厚度为50nm–1μm。

3.根据权利要求1所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述使用氢氟酸缓冲溶液刻蚀铬层下面裸露玻璃，其中所述氢氟酸缓冲溶液为(10wt%-40wt%)NH₄F和(5wt%-49wt%)HF的混合溶液，两者的混合体积比为5:1。

4.根据权利要求3所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述刻蚀时间为10s-10min，刻蚀温度为15℃-35℃。

5.根据权利要求1所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述去铬溶液组成为：硝酸铈铵Ce(NH₄)₂(NO₃)₆，高氯酸HClO₄和去离子水，质量比为9:6:85。

6.根据权利要求1所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述含氟硅氧烷基的甲苯溶液是(0.2wt%-3wt%)的4-甲基-(全氟已基乙基)丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液，在该溶液中修饰温度为15℃-35℃，修饰时间为1h-12h。

7.根据权利要求1所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述含烯酸酯硅氧烷基的甲苯溶液是指(0.2wt%-3wt%)的3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基-2-甲基-2-丙烯酸酯的甲苯溶液，在该溶液中修饰温度为15℃-35℃，修饰时间为1h-12h。

8.根据权利要求1-7任一项所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗，是指依次使用丙酮，酒精和去离子水对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗。

9.根据权利要求1-7任一项所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述硅薄膜太阳电池表面陷光结构是采用纳米压印技术制备而成的，其周期为500nm-20μm，深度为200nm-5μm。

10.根据权利要求9所述的基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法，其特征在于，所述的纳米压印技术包含热压印固化以及紫外压印固化技术。