[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201310040271.5 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103295892A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 中田和成;寺崎芳明 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1. 一种半导体装置的制造方法,其中具备:
准备在外周端部具有厚壁部、在中央部具有薄壁部的半导体晶圆的工序;
在所述半导体晶圆的一个面安装支撑部件的工序;
在安装所述支撑部件后将所述半导体晶圆分割成所述厚壁部与所述薄壁部的工序;以及
在所述分割后用所述支撑部件支撑所述薄壁部的状态下切断所述薄壁部的工序。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中还具备在所述分割后从所述支撑部件分离所述厚壁部的工序。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中
所述支撑部件含有粘着带,
所述粘着带从所述薄壁部跨过所述厚壁部而粘贴。
4. 根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中还具备:
在将所述厚壁部从所述支撑部件分离后使所述支撑部件伸展的工序。
5. 根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,直接保持所述厚壁部而分离。
6. 根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,通过进行真空吸附来保持所述厚壁部。
7. 根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,通过进行静电吸附来保持所述厚壁部。
8. 根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其中具备:在将所述厚壁部从所述粘着带分离前,使与所述厚壁部相接的部分中的所述粘着带的粘着力下降的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造