[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310040271.5 申请日: 2013-02-01
公开(公告)号: CN103295892A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 中田和成;寺崎芳明 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1. 一种半导体装置的制造方法,其中具备:

准备在外周端部具有厚壁部、在中央部具有薄壁部的半导体晶圆的工序;

在所述半导体晶圆的一个面安装支撑部件的工序;

在安装所述支撑部件后将所述半导体晶圆分割成所述厚壁部与所述薄壁部的工序;以及

在所述分割后用所述支撑部件支撑所述薄壁部的状态下切断所述薄壁部的工序。

2. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中还具备在所述分割后从所述支撑部件分离所述厚壁部的工序。

3. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中

所述支撑部件含有粘着带,

所述粘着带从所述薄壁部跨过所述厚壁部而粘贴。

4. 根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中还具备:

在将所述厚壁部从所述支撑部件分离后使所述支撑部件伸展的工序。

5. 根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,直接保持所述厚壁部而分离。

6. 根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,通过进行真空吸附来保持所述厚壁部。

7. 根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,通过进行静电吸附来保持所述厚壁部。

8. 根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其中具备:在将所述厚壁部从所述粘着带分离前,使与所述厚壁部相接的部分中的所述粘着带的粘着力下降的工序。

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