[发明专利]用于硅片对准级间串绕测试和拟合的信号处理方法

权利要求书

1.一种用于硅片对准级间串绕测试和拟合的信号处理方法，其特征在于，包括：

步骤一：开始对准扫描，获取光强和工件台和掩模台位置信息；

步骤二：根据所述工件台和掩模台位置信息计算工件台的水平向相对位置；

步骤三：对光强和工件台的水平向相对位置进行频谱分析，获取各级次光信号的频谱特性；

步骤四：根据光强和工件台的水平相对位置频谱分析结果，分别建立奇次级光拟合模型和偶次级光拟合模型，对奇次级光拟合模型和偶次级光拟合模型进行信号拟合，得到奇次光和偶次光的信号表达式，并进行对准位置计算。

2.如权利要求1所述的用于硅片对准级间串绕测试和拟合的信号处理方法，其特征在于，所述步骤三中，对光强进行频谱分析如下：

其中，n=1、2、3、……代表采样信号各级次光；为基波分量；为各级次采样信号中其他级次串扰后的光功率和自身的光功率；为各级次光信号频谱分析后，各级次采样信号中其他级次串扰信号和自身信号的幅值；为各级次光信号频谱分析后，各级次采样信号中其他级次串扰信号和自身信号的频率；为各级次光信号频谱分析后，各级次采样信号中其他级次串扰信号和自身信号的初始相位。

3.如权利要求1所述的用于硅片对准级间串绕测试和拟合的信号处理方法，其特征在于，步骤四中对奇次级光拟合模型和偶次级光拟合模型进行信号拟合为最小二乘法模型拟合。

4.如权利要求1所述的用于硅片对准级间串绕测试和拟合的信号处理方法，其特征在于，所述步骤四中，奇次级光拟合模型为：

，其中，n为奇数1、3、5、7、……，DCn为第n级次光拟合模型直流分量，An为第n级次光余弦系数，Bn为第n级次光正弦系数，Pn为第n级次光周期；

偶次级光拟合模型为：

其中，n为偶数2、4、6、……，DCn为第n级次光拟合模型直流分量，A1n为第n级次光中含有的1次级光的余弦系数，A2n为第n级次光中含有的2次级光的余弦系数，ANn为第n级次光中含有的n次级光的余弦系数，B1n为第n级次光中含有的1次级光的正弦系数，B2n为第n级次光中含有的2次级光的正弦系数，BNn为第n级次光中含有的n次级光的正弦系数，P1为1级次光周期，P2为2级次光周期，Pn为n级次光周期。

5.如权利要求1所述的用于硅片对准级间串绕测试和拟合的信号处理方法，其特征在于，偶次级光的信号表达式为：

其中，n为偶数2、4、6、……，ANn为第n级次光中含有的n次级光的余弦系数， BNn为第n级次光中含有的n次级光的正弦系数，Pn为n级次光周期；

奇次光的信号表达式为：

其中，n为奇数1、3、5、7、……，DCn为第n级次光拟合模型直流分量，An为第n级次光余弦系数，Bn为第n级次光正弦系数，Pn为第n级次光周期。