[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示器制造技术的发展，薄膜场效应晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）因其具有体积小、功耗低、分辨率高等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

阵列基板是TFT-LCD的主要组成部件之一，现有技术中制备阵列基板的工艺过程一般包括：通过构图工艺依次在基板上形成包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层、非感光树脂层、第一透明导电层、绝缘层和第二透明导电层层的图案。

在制造阵列基板的过程中，若能减少所使用的光刻掩膜版的数量，可显著减少阵列基板的制造成本，进而能减少TFT-LCD的制造成本。

同时，现有技术中一般是利用光刻胶作为掩膜对非感光树脂层进行构图工艺，但光刻胶与非感光树脂层之间的粘附性较差，在对非感光树脂层进行构图工艺的过程中，光刻胶易从非感光树脂层上脱落，导致非感光树脂层的构图工艺的过程失败，进而降低了阵列基板的良品率，同时增加了阵列基板的生产成本。

发明内容

本发明目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可以降低显示装置的制造成本，同时提高生产良率。

为达到上述目的，本发明的阵列基板及其制备方法、显示装置采用如下技术方案：

本发明一方面提供了一种阵列基板，自下而上依次包括：基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、保护层和非感光树脂层，其特征在于，所述保护层和所述非感光树脂层上具有过孔，所述过孔位于漏极上方；

在所述非感光树脂层之上，所述阵列基板还包括：第一透明导电层，覆盖除所述过孔区域外的所述非感光树脂层；绝缘层，覆盖所述第一透明导电层和所述过孔的内侧壁；第二透明导电层，位于所述绝缘层上，并通过所述过孔与所述源漏电极层的漏极相接触。

所述保护层由硅的氧化物、硅的氮化物、铪的氧化物、硅的氮氧化物、铝的氧化物中的一种或两种构成。

本发明另一方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

步骤1、在基板上通过构图工艺依次形成包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层、保护层和非感光树脂层的图案；

步骤2、在所述非感光树脂层上沉积透明导电薄膜，并对所述透明导电薄膜进行构图工艺，形成第一透明导电层，所述第一透明导电层在在漏极上方具有过孔；

步骤3、以所述第一透明导电层为掩膜，依次对所述非感光树脂层和所述保护层进行构图工艺，形成包括过孔的所述非感光树脂层和所述保护层的图案；

步骤4、在所述第一透明导电层上和所述过孔的内侧壁上形成绝缘层；

步骤5、在所述绝缘层上以及覆盖有所述绝缘层的过孔的内侧壁及所述过孔的底部覆盖上第二透明导电层，以使得所述第二透明导电层与所述源漏电极层的漏极相接触。

所述构图工艺包括：对所述第一透明导电层进行湿法刻蚀，利用硫酸和醋酸的混合物，对所述第一透明导电层进行湿法刻蚀。

所述构图工艺包括：

利用第一比例的六氟化硫和氯气，以所述第一透明导电层为掩膜，对所述非感光树脂层进行干法蚀刻，使得所述非感光树脂层具有第一过孔；

利用第二比例的六氟化硫和氯气，以所述第一透明导电层为掩膜，对所述保护层进行干法刻蚀，使得所述保护层具有与所述第一过孔相通的第二过孔；

所述包括过孔的所述非感光树脂层和所述保护层的图案包括：

所述第一过孔和所述第二过孔相通，形成所述非感光树脂层和所述保护层所具有的过孔。

六氟化硫和氯气的所述第一比例为4：9或5：6，六氟化硫和氯气的所述第二比例为7：9至1：1。

所述保护层由硅的氧化物、硅的氮化物、铪的氧化物、硅的氮氧化物、铝的氧化物中的一种或两种构成。

本发明的再一方面还提供了一种显示装置，包括如上任意一种阵列基板。

在本发明实施例的技术方案中，在制备阵列基板的过程中，当需要刻蚀非感光树脂层时，以形成在所述非感光树脂层上的第一透明导电层作为非感光树脂层的掩膜，直接对非感光树脂层进行干法刻蚀。无需在形成非感光树脂层后利用光刻胶作为掩膜，对非感光树脂层进行刻蚀，减少了制备阵列基板所需要的光刻掩膜版的数量，提高了阵列基板的良品率，进而减少阵列基板的制造成本，减少显示装置的制造成本。

附图说明