[发明专利]有机薄膜场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括在衬底上制作有源层的工序，所述有源层是通过气体喷印工艺将有机半导体化合物喷印到接收层上形成的；

其中，所述气体喷印工艺的步骤包括：

S1、对有机半导体化合物进行加热使之升华成气雾；

S2、将所述气雾喷射到接收层上。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：对有机半导体化合物进行加热的温度范围为200℃~600℃。

3.根据权利要求1所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述有机半导体化合物为稠环芳香族有机半导体化合物。

4.根据权利要求1所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述有机半导体化合物为并苯类、金属酞菁类、苝、苝酰亚胺衍生物、苝酐类，四氟基对苯鲲二甲烷金属类、富勒烯中的一种或两种以上的组合。

5.根据权利要求1所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述有机薄膜场效应晶体管为底栅-顶接触、底栅-底接触、顶栅-底接触、顶栅-顶接触的结构中的一种。

6.根据权利要求1所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述衬底的材质为玻璃、陶瓷、硅、塑料中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述场效应晶体管包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极的材质为金、银、铜、PEDOT:PSS聚合物中至少一种。

8.根据权利要求8所述的有机薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述源电极和漏电极的制作方法是气溶胶印刷法、喷墨印刷法、磁控溅射、光刻或真空蒸镀沉积法之一。