[发明专利]一种电子束表面微造型的方法无效
申请号: | 201310041083.4 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103111749A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 王西昌;巩水利;许恒栋;毛智勇;左从进 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 |
主分类号: | B23K15/06 | 分类号: | B23K15/06 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 陈宏林 |
地址: | 100095 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子束 表面 造型 方法 | ||
1.一种电子束表面微造型的方法,该方法是利用小功率、高品质电子束,通过电磁场控制进行扫描,按一定的轨迹作用于金属表面,产生几微米到几百微米的微小突起,其特征在于:电子束的扫描轨迹(2)由多条向中心O汇集的线段(1)组成,每两条线段(1)不相交,相邻两线段(1)的夹角相等,夹角大小的范围是5~120°,各线段(1)长度相等,电子束是从线段(1)距离中心O最近的端点开始向外沿线段(1)进行扫描到另一端点。
2.根据权利要求1所述的电子束表面微造型的方法,其特征在于:所述电子束的功率为10~1000W,束流直径为0.3~0.7mm,电子束的扫描速度为0.1~5m/s。
3.根据权利要求1所述的电子束表面微造型的方法,其特征在于:将多个扫描轨迹(2)排成常规阵列和交错阵列,常规阵列是矩阵阵列的排列方式,相邻两行扫描轨迹(2)之间的行间距相等,相邻两列扫描轨迹(2)之间的列间距相等;
交错阵列是在常规阵列基础上,插入扫描轨迹(2),插入的每一个扫描轨迹(2)位于常规阵列相邻两行和相邻两列扫描轨迹(2)中间。
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