[发明专利]内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法

权利要求书

1.一种封装器件，包括表面包覆玻璃层的硅晶片（1）、焊锡盘（3）以及导电框架（2）；

所述导电框架（2）包括若干引脚（21）和散热片（22），所述硅晶片（1）中的各个焊盘分别键合对应的引脚（21），所述硅晶片（1）、导电框架（2）以及引脚（21）通过树脂（4）封装，所述引脚（21）的外引脚部分从所述树脂（4）封装的侧面暴露；

其特征在于：所述硅晶片（1）通过焊锡盘（3）固定在所述导电框架（2）的上表面，且所述导电框架（2）的散热片（22）被所述树脂（4）密封封装。

2.如权利要求1所述的封装器件，其特征在于：所述树脂（4）为高导热树脂，其导热率为1.9至3。

3.如权利要求2所述的封装器件，其特征在于：所述散热片（22）的结构为勺子状，所述勺子状结构中的勺口（221）的一端连接至少一所述引脚（21），另一端连接所述勺子状结构中的勺柄（222），所述硅晶片（1）固定在所述勺子状结构的勺口（221）中部。

4.如权利要求2所述的封装器件，其特征在于：所述树脂（4）的导热率为1.9至2.1。

5.如权利要求4所述的封装器件，其特征在于：所述树脂（4）的导热率为2。

6.如权利要求2所述的封装器件，其特征在于：所述硅晶片（1）中的各个焊盘分别通过铝线（5）耦接对应引脚（21）上的引脚接线端（211）。

7.一种硅晶片的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

（a）形成表面包覆玻璃层的硅晶片；

（b）将硅晶片通过焊锡膏直接粘合在导电框架上；

（c）将硅晶片中的各个焊盘与导电框架中对应的引脚耦合；

（d）采用高导热树脂模封成型；

（e）存放在高温环境中进行老化；以及

（f）将产品的引脚部分电镀。

8.如权利要求7所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（d）中，所述导电框架的散热片被所述树脂密封封装，该树脂的导热率为1.9至3。

9.如权利要求8所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（a）中包括以下步骤：

（a1）将整个晶源贴在蓝膜上；

（a2）烘烤，增加蓝膜上晶源的粘性；

（a3）切割晶源，切割深度为晶源连接部厚度的一半；以及

（a4）背面平压使晶源开裂成单个的晶片；

（a5）测试单个晶片，去掉坏的晶片。

10.如权利要求9所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（b）中包括以下步骤：

（b1）在常温下将硅晶片通过所述焊锡膏贴合在所述导电框架的散热片上；以及

（b2）存放在温度为摄氏175度的恒温环境下，内有氮气作为保护气体，存放8小时进行老化。

11.如权利要求10所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（b）之后步骤（c）之前还包括以下步骤：

（b3）通过清洗，将焊锡膏里蒸发出来的助焊剂清掉。

12.如权利要求11所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（e）之后步骤（f）之前还包括以下步骤：

（e1）去除毛刺。

13.如权利要求12所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（f）之后还包括以下步骤：

（g）将整条模封之后的晶片切成一粒粒的可用成品；以及

（h）测试，去掉坏掉的产品。

14.如权利要求13所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（d）中，所述树脂（4）的导热率为1.9至2.1。

15.如权利要求14所述的硅晶片的封装方法，其特征在于：所述步骤（d）中，所述树脂（4）的导热率为2。