[发明专利]绝缘体上硅射频器件及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述绝缘体上硅射频器件包括：

硅基衬底，所述硅基衬底用于支撑所述绝缘体上硅射频器件；

埋氧层，所述埋氧层设置在所述硅基衬底上；

器件层，所述器件层为硅层，设置在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离；

第一介质层，所述第一介质层覆盖所述器件层；

第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一介质层之异于所述器件层一侧；以及，

深埋沟道，所述深埋沟道贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间。

2.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道至所述硅基衬底与所述埋氧层之第一分界面纵向延伸至所述第一介质层与所述第二介质层之第二分界面。

3.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道为体型。

4.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道为“凹”型。

5.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道为间隔条状布置结构。

6.如权利要求5所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道具有5个条状布置结构。

7.如权利要求2～6任一权利要求所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道的外向间距优选地为15～120μm。

8.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法，包括：

执行步骤S1：在所述硅基衬底上形成所述埋氧层和绝缘体上硅射频器件；

执行步骤S2：在所述器件层之异于所述埋氧层的一侧设置第一介质层；

执行步骤S3：光刻、刻蚀所述埋氧层、器件层和第一介质层，并进行多晶硅填充、回刻，以形成所述深埋沟道；

执行步骤S4：在所述第一介质层和所述深埋沟道之异于所述器件层的一侧设置第二介质层，获得所述绝缘体上硅射频器件。

9.如权利要求8所述的绝缘体上硅射频器件的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘体上硅射频器件的步骤进一步包括，

提供硅基衬底，所述硅基衬底用于支撑所述绝缘体上硅射频器件；

在所述硅基衬底上设置埋氧层；

在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧设置器件层，所述器件层为硅层，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离。

10.如权利要求9所述的绝缘体上硅射频器件的制造方法，其特征在于，所述器件层的器件区设置p型阱、在所述p型阱两侧分别设置第一n型掺杂区和第二n型掺杂区，以及在所述p型阱之异于所述第一n型掺杂区和第二n型掺杂区的一侧设置所述多晶硅层。

11.如权利要求8所述的绝缘体上硅射频器件的制造方法，其特征在于，形成所述深埋沟道的步骤进一步包括，

光刻、刻蚀所述埋氧层、器件层和第一介质层，形成深埋沟道图案，所述深埋沟道图案贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间；

在所述深埋沟道图案内进行多晶硅填充；

对所述冗余的多晶硅进行回刻处理，以形成所述深埋沟道。