[发明专利]一种解决高温下衬底原子蒸发影响平整度的方法及装置

权利要求书

1.一种解决高温下衬底原子流失影响平整度的设计方案，其设计原理在于：在薄膜生长的过程中，通过在衬底反方向安置与衬底同材料蒸发源，来补偿由于高温造成的衬底表面原子流失，使衬底表面原子蒸发与吸收达到动态平衡；此时衬底的表面平整度可以在生长过程中保持平整，可有效避免衬底在高温下的蒸发造成的镀膜形貌缺陷，可以生长出平整的、高质量薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的设计方案，构建一种系统，系统包括：加热装置、补偿蒸发源；利用加热装置来加热衬底至薄膜生长所需的温度，在薄膜生长的过程中利用补偿蒸发源来蒸发同衬底相同的材料，以补偿其在薄膜生长过程中因为热蒸发所流失的衬底表面材料。

3.根据权利要求2所述的加热装置，其特点在于：任何将衬底加热至薄膜生长所需温度的加热装置；包含但不仅限于：电阻加热源，电子束轰击源。

4.根据权利要求2所述的补偿蒸发源，包含但不仅限于：热蒸发源，电子束轰击源，磁控溅射源。

5.根据权利要求1所述的衬底，其特性在于：在薄膜生长条件下会产生蒸发或表面原子流失，此类衬底包含但不仅限于：铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)、镁(Mg)、锰(Mn)、钼(Mo)、钌(Rh)、钽(Ta)、钛(Ti)、铑(Rh)、钨(W)、硅(Si)、碳化硅(SiC)中的一种或任意两种以上的组合。

6.根据权利要求1所述的生长的薄膜，其特性在于：可以为任意薄膜材料，包括但不仅限于石墨烯、六角氮化硼类薄膜材料。