[发明专利]成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及将彼此反应的处理气体依次供给而在基板的表面层叠反应生成物并对基板进行等离子体处理的成膜装置。

背景技术

作为对半导体晶圆等基板（以下称为“晶圆”）进行例如氮化硅膜（Si－N）等薄膜的成膜的方法之一，公知有将彼此反应的多种处理气体（反应气体）向晶圆的表面依次供给并层叠反应生成物的ALD（Atomic Layer Depo sition：原子层沉积）法。作为采用该ALD法来进行成膜处理的成膜装置，例如，能够列举出如专利文献1所记载那样将用于使多张晶圆沿着周向排列并使多张晶圆旋转的旋转台设在真空容器内并以与该旋转台相对的方式设有多个气体供给喷嘴的构成。在该装置中设有被供给分离气体的分离区域，使得处理气体彼此不会在分别被供给处理气体的处理区域彼此之间相互混合。

并且，在这样的装置中，例如，公知有如专利文献2所记载那样的构成：将处理区域和分离区域连同等离子体区域一起沿着旋转台的周向配置，在该等离子体区域中使用等离子体来进行例如反应生成物的改性、处理气体的活化。不过，若想要构成小型的装置，则难以设有这样的等离子体区域。换言之，在设有等离子体区域的情况下，无法避免装置的大型化。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－239102

专利文献2：日本特开2011－40574

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而做成的，其目的在于提供一种成膜装置，该成膜装置在将彼此反应的处理气体向真空容器内依次供给而在基板的表面层叠反应生成物并对基板进行等离子体处理时，能够一边阻止处理气体彼此在真空容器内相互混合一边构成小型的真空容器。

采用本发明的第1技术方案，提供一种成膜装置，该成膜装置是通过在真空容器内多次进行将彼此反应的多种处理气体依次供给的循环来层叠反应生成物而在基板上形成薄膜的成膜装置，其中，该成膜装置包括：

旋转台，其设于上述真空容器内，在其一表面侧形成有用于载置基板的基板载置区域，其用于使该基板载置区域旋转；

第1处理气体供给部，其用于向第1处理区域供给第1处理气体；

第1等离子体处理部，其用于在第2处理区域中对基板进行等离子体处理；

分离气体供给部，其用于向形成于上述第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域供给分离气体，以便使上述第1处理区域的气氛气体和第2处理区域的气氛气体分离；

排气口，其用于对上述真空容器内的气氛气体进行真空排气，

上述第1等离子体处理部包括：

第1围绕部分，其划分形成用于使等离子体产生的等离子体产生空间，在其下部形成有等离子体的喷出口；

第2处理气体供给部，其用于向上述等离子体产生空间供给第2处理气体；

活化部，其用于使上述等离子体产生空间的上述第2处理气体活化；

第2围绕部分，其设在上述第1围绕部分的下方，用于形成引导空间，该引导空间从上述旋转台的中心部侧延伸到外缘部侧，该引导空间将从上述喷出口喷出的等离子体向上述旋转台的一表面侧引导。

附图说明

图1是表示本实施方式的成膜装置的一例的纵剖视图。

图2是本实施方式的成膜装置的横剖俯视图。

图3是本实施方式的成膜装置的横剖俯视图。

图4是将本实施方式的成膜装置的等离子体产生容器放大表示的纵剖视图。

图5是表示本实施方式的等离子体产生容器的立体图。

图6是表示本实施方式的等离子体产生容器的一部分的立体图。

图7是表示本实施方式的等离子体产生容器的一部分的立体图。

图8是表示本实施方式的等离子体产生容器的分解立体图。

图9是表示被设于本实施方式的等离子体产生容器的翅片的一部分的立体图。

图10是表示本实施方式的翅片的纵剖视图。

图11是表示本实施方式的翅片的纵剖视图。

图12是表示被设于第1处理气体喷嘴的喷嘴罩的立体图。

图13是表示本实施方式的喷嘴罩的纵剖视图。

图14是表示本实施方式的成膜装置的第2等离子体产生部的纵剖视图。

图15是表示本实施方式的第2等离子体产生部的分解立体图。

图16是表示被设于本实施方式的第2等离子体产生部的框体的立体图。