[发明专利]光敏电阻

说明书

技术领域

本发明涉及一种光敏电阻。

背景技术

光敏电阻又称光导管，其工作原理是基于内光电效应。典型的光敏电阻是将半导体光敏材料两端装上电极引线，并将其封装在带有透明窗的管壳里构成的。

常用的光敏材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等。这些光敏材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻的阻值迅速下降。

为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极常采用梳状图案，它是在一定的掩膜下向光敏材料薄膜的同一表面上蒸镀金、铜、铝等金属形成的。然而，由于这个金属电极本身不透光，光线只能通过梳状金属电极之间的空隙照射到光敏材料上，所述电极之间的空隙狭小，即该光敏电阻的受光面积较小，透光率较差，因此，对于微弱光探测的灵敏度不高；并且，该光敏电阻仅能检测非偏振光，无法检测偏振光。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种光敏电阻，该光敏电阻不仅可用于微弱光的探测，还可检测光的偏振性。

一种光敏电阻，其包括一第一电极层、一光敏材料层及一第二电极层，所述第一电极层、光敏材料层和第二电极层层叠设置，构成一三明治结构，所述第一电极层和第二电极层分别设置于所述光敏材料层相对的两个表面上，且分别与所述光敏材料层电接触，所述第一电极层包括一第一碳纳米管薄膜结构。

进一步地，该光敏电阻还包括一第一引出电极以及一第二引出电极，该第一引出电极及第二引出电极分别与所述第一电极层和第二电极层电连接。

进一步地，所述碳纳米管薄膜结构包括至少一碳纳米管拉膜，所述碳纳米管拉膜包括多个沿同一方向择优取向排列的碳纳米管，且相邻的两个碳纳米管之间通过范德华力相连，形成一自支撑的结构。

进一步地，所述第二电极层包括一碳纳米管薄膜结构或一金属薄膜。

相对于现有技术，本发明所提供的光敏电阻具有以下优点：其一，由于本发明中所用的第一电极层具有较高的透光率，因此，可将光敏电阻设计成三明治结构，即所述第一电极层与第二电极层分别位于光敏材料层相对的两个表面上；其二，由于所述第一电极层包括一碳纳米管薄膜结构，该碳纳米管薄膜结构具有较高的透光率，相对于传统的采用梳状金属电极的光敏电阻而言，其具有更大的受光面积，因此，该光敏电阻对微弱光的探测灵敏度较高；其三，由于所述碳纳米管薄膜结构具有各向异性的特点，因此，该光敏电阻可用于偏振光的检测；其四，当所述第二电极层也包括一碳纳米管薄膜结构时，该光敏电阻可制作成一柔性光敏电阻，拓展其应用领域。

附图说明

图1为本发明提供的光敏电阻的结构示意图。

图2为图1的光敏电阻中第一种碳纳米管薄膜结构的爆破图。

图3为图1的光敏电阻中第二种碳纳米管薄膜结构的爆破图。

图4为图1的光敏电阻中单层碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。

图5为图1的光敏电阻应用于偏振光检测系统的示意图。

图6为利用图5的偏振光检测系统对偏振光进行检测的方法流程图。

主要元件符号说明