[发明专利]测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子

权利要求书

1.测定污染高纯硅的包括杂质在内的污染材料中杂质的量的方法，所述方法包括以下步骤：

任选地，测定所述污染材料的杂质含量；

任选地，测定所述高纯硅的杂质含量；

提供所述污染材料；

在所述污染材料中至少部分地包埋所述高纯硅的样品；

在炉子内加热至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品；和

测定在加热至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品的步骤之后所述高纯硅的杂质含量与在所述加热步骤之前所述高纯硅的杂质含量相比的变化。

2.权利要求1的方法，其中所述高纯硅进一步定义为具有小于或等于500份每万亿份原子的杂质含量的硅。

3.前述权利要求中任一项的方法，其中至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品在至少1650℉的温度下被加热至少200分钟的时间。

4.前述权利要求中任一项的方法，其中所述杂质选自铝、砷、硼、磷、铁、镍、铜、铬以及它们的组合。

5.前述权利要求中任一项的方法，其中所述污染材料包含基于所述污染材料的总重量计算以至少40重量%的量存在的至少一种陶瓷。

6.权利要求5的方法，其中所述至少一种陶瓷选自氧化铝、二氧化硅、碳化硅以及它们的组合。