[发明专利]导电薄膜、其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的MCdO层及MoO₃层，其中，所述MCdO为掺铝的氧化镉、掺镓的氧化镉或掺铟的氧化镉。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述MCdO层的厚度为50nm~300nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm~5nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MCdO靶材、MoO₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，所述MCdO靶材为掺铝的氧化镉、掺镓的氧化镉或掺铟的氧化镉靶材；

在所述衬底表面溅镀MCdO层，溅镀所述MCdO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；

在所述MCdO层表面溅镀MoO₃层，溅镀所述MoO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MCdO靶材由以下步骤得到：将CdO和M₂O₃粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M₂O₃的质量百分数为0.5%~10％，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。

5.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、MCdO层及MoO₃层，其中，所述MCdO为掺铝的氧化镉、掺镓的氧化镉或掺铟的氧化镉。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述MCdO层的厚度为50nm~300nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm~5nm。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MCdO靶材、MoO₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，所述MCdO靶材为掺铝的氧化镉、掺镓的氧化镉或掺铟的氧化镉靶材；

在所述衬底表面溅镀MCdO层，溅镀所述MCdO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；

在所述MCdO层表面溅镀MoO₃层，溅镀所述MoO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述MCdO靶材由以下步骤得到：将CdO和M₂O₃粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M₂O₃的质量百分数为0.5%~10%，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。

9.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的MCdO层及MoO₃层，其中，所述MCdO为掺铝的氧化镉、掺镓的氧化镉或掺铟的氧化镉。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述MCdO层的厚度为50nm~300nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm~5nm。