[发明专利]烧结炉

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年2月3日递交的韩国专利申请第10-2012-0011136号的优先权，该申请的全部内容为了所有目的通过引用合并与此。

技术领域

本发明涉及一种烧结炉，更具体而言，涉及一种在其中烧结坯块（compact）的烧结炉。

背景技术

通常，用于诸如液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）或电致发光显示器（ELD）的平板显示器的电极材料或用于光伏电池的透明导电氧化物（TCO）薄膜由氧化铟锡（ITO）、氧化锡（SnO₂）、氧化锌（ZnO）等制成。

特别地，ITO薄膜被广泛用于平板显示装置的透明电极、用于光伏电池的电极和用于防止静电的导电薄膜，这是因为其具有优良的特性，例如，透明性、导电性、对基板的粘附力等，并且能够通过刻蚀被机械制造。

形成ITO薄膜的方法可包括诸如喷雾热分解法、化学蒸汽沉积（CVD）等的化学工艺，以及诸如电子束沉积、溅射沉积等的物理工艺。在这些工艺中，溅射沉积工艺被广泛用在各种领域中，这是因为其容易适用于大尺寸并且能够有效地形成高性能薄膜。

溅射沉积工艺通过将诸如氩（Ar）气的工艺气体吹入真空室中并且向包括ITO靶材的阴极应用直流电（DC）功率或射频（RF）功率而产生辉光放电从而在基板上形成沉积薄膜。

为了通过溅射沉积工艺形成高质量的ITO薄膜，需要高密度的ITO靶材。

通过利用选自冷挤压、流铸、压滤、冷等静压压制、凝胶浇注、离心沉降和重力沉降中的方法将具有特定尺寸和成分的氧化铟粉末模制到ITO坯块中，将该坯块装载在烧结炉中，随后以1500°C或更高的高温烧结坯块，从而制造这种高密度的ITO靶材。

在烧结ITO坯块的过程中，具有高蒸汽压力的In₂O₃和SnO₂在高温范围中挥发。当In₂O₃和SnO₂挥发时，不可能产生高密度的ITO靶材。

另外，在烧结过程中，脱膜粉典型地应用在ITO坯块和ITO坯块所安置的板之间，从而有利于ITO坯块的收缩，同时将烧结炉中ITO坯块所安置的板与ITO坯块之间的反应最小化。脱膜粉可实施为例如除了诸如Al₂O₃的高温材料粉末之外的ITO粉末和In₂O₃和SnO₂粉末。然而，所有这些粉末在高温下蒸发。已蒸发的蒸发物质被沉积在烧结炉的上部中的排放口的内壁上，逐渐增大，随后掉落到烧结炉中，从而导致ITO烧结体上具有裂缝。

另外，这种现象导致对设置在烧结炉内的耐火材料的逐渐污染，并且导致在烧结环境下的坯块的浓度不均匀，从而导致质量离差。

本发明背景技术部分中公开的信息仅用于增强对本发明背景的理解，而不应被认为或以任何形式建议该信息形成本领域技术人员已经知晓的现有技术。

发明内容

本发明各方面提供一种烧结炉，其能够减少已经从坯块蒸发的蒸汽凝结在烧结炉的排放口上。

在本发明一方面中，提供一种烧结炉，包括：腔室，已经被装载在该腔室中的坯块在该腔室中被烧结；设置在所述腔室的上部中的排放口，所述排放口允许所述腔室的内部与所述腔室的外部连通；和防止凝结单元，该防止凝结单元加热所述排放口或者将所述排放口保持温热。

所述防止凝结单元可被实施为加热器或绝缘构件，所述加热器加热所述排放口，所述绝缘构件围绕所述排放口并将所述排放口保持温热。

所述烧结炉还可包括：设置在所述排放口上以便打开和关闭所述排放口的开/关单元；和控制器，所述控制器通过根据所述腔室内的温度来控制所述开/关单元从而调节所述排放口被打开或关闭的程度。

所述烧结炉还可包括测量所述腔室内的所述温度的温度传感器。

所述排放口可包括在与所述开/关单元接合的端部上的减震材料，所述减震材料吸收当与所述开/关单元接合时的冲击。

所述控制器可通过控制所述开/关单元的移动来控制所述排放口被打开或关闭的程度。所述开/关单元可通过沿竖直或水平方向滑动而打开或关闭所述排放口。

所述开/关单元可具有与所述排放口的端部对应的形状。