[发明专利]一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201310043657.1 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103088409A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 邓惠勇;郭建华;邱锋;孙艳;刘从峰;俞国林;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/46
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 垂直 生长 碲锌镉单晶 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置,该装置包括管式炉体(1)、石英安瓿(2)与石墨舟(3),其特征在于:

所述的管式炉体(1)沿炉体共轴线方向自上而下依次由具有相同的内、外径的合成炉(11)、缓冲炉(12)、斜面炉(13)和镉源炉(14)组成,管式炉体(1)可以垂直方向上下移动;合成炉(11)由左、右半炉组成,炉温可分别控制,炉体可以单独360°旋转;斜面炉(13)由界面倾斜的上、下二个半炉组成,炉温可分别控制;管式炉体(1)内放置有石英安瓿(2),石英安瓿(2)中间有用来支撑石墨舟(3)挡板(21),挡板(21)上有能传输镉源(5)的蒸汽至熔体(4)的孔;石墨舟(3)放置在石英安瓿(2)内,镉补偿源(5)放置在石英安瓿(2)的底部,镉补偿源(5)始终处于镉源炉(14)中。

2.根据权利要求1所述的一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置,所述的石墨舟(3)的管壁采用齿轮状结构,与石英安瓿(2)之间接触紧密,但保留有较大的缝隙。

3.一种基于权利要求1所述装置的垂直提拉生长碲锌镉单晶的方法,其特征在于包括如下步骤:

①按照化学计量比的要求称量7N高纯碲、7N高纯锌与7N高纯镉原料,接着交替将各原料均匀放置于石墨舟(3)内;

②根据单晶生长过程中石英安瓿(2)内镉蒸汽压的要求计算镉补偿源(5)的质量,并将其放置于石英安瓿(2)的底部;

③将石墨舟(3)轻轻放置于石英安瓿挡板(21)后,对石英安瓿(2)抽真空后封管;

④将石英安瓿(2)移入管式炉体(1),使得装有合成原料的石墨舟(3)位于合成炉(11)的正中间;

⑤升高合成炉(11)的温度,使得其左炉的温度约为650℃,右炉的温度为700℃,并以6rpm的转速转动,保持24h,其它炉体的温度为650℃;

⑥根据拟制备组分碲锌镉的熔点Tm,调节管式炉体(1)各炉体的温度,使得合成炉(11)左炉的温度为Tm,右炉的温度为Tm+50℃,缓冲炉(12)的温度为Tm,斜面炉上炉(131)的温度为Tm,斜面炉下炉(132)的温度为Tm-50℃,镉源炉(14)的温度根据需要设定,一般为800℃。保持24h;

⑦多晶料合成完毕之后,炉体(1)缓缓向上移动,移动速率约为2mm/h,直至斜面炉(13)完全扫过熔体,单晶生长完毕,最后缓慢退火降至室温。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310043657.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top