[发明专利]透明导电体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310043714.6 申请日: 2013-02-04
公开(公告)号: CN103971788A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 刘伟;唐根初;唐彬 申请(专利权)人: 深圳欧菲光科技股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;G06F3/044
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓云鹏
地址: 518106 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 透明 导电 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及触摸屏领域,特别涉及一种透明导电体及其制备方法。

背景技术

透明导电材料因其兼具有光线透过率高,导电性良好等特点,越来越广泛的被作为透明电极应用于电阻屏及电容屏、透明电磁屏蔽膜等光电子产品中。

目前,通常采用真空蒸镀或者磁控溅射方式将透明导电材料氧化铟锡(ITO)镀制在PET或者玻璃基板上形成透明导电体以应用于电容触摸屏。

但是,因为金属铟(In)是一种稀有资源,近来国家对其进行管制导致铟元素材料的成本急剧上升;ITO薄膜主要采用真空蒸镀或者磁控溅射生产,生产设备昂贵,这也导致ITO薄膜价格一直居高不下,直接导致透明导材料成本的高昂。

发明内容

基于此,有必要提供一种成本较低的透明导电体及其制备方法。

一种透明导电体,包括透明基板、网络状的UV胶粘层、网络状的金属导电层、及绝缘保护层,所述金属导电层通过所述UV胶粘层粘结于所述透明基板的一表面,所述绝缘保护层形成于所述透明基板的所述表面并覆盖所述金属导电层;其中,所述金属导电层的材料选自金、银、铜及铝中的一种。

在其中一个实施例中,组成所述金属导电层的网络的线条的宽度为0.2微米~5微米,线间距为50微米~800微米。

在其中一个实施例中,所述透明基板的厚度为50微米~1200微米;所述金属导电层的厚度为0.5微米~5微米。

在其中一个实施例中,所述透明基板的材料为玻璃或透明塑料;所述UV胶粘层的材料为UV聚合物;所述绝缘保护层的材料为固化后呈透明状的热固型聚合物或UV固化型聚合物。

在其中一个实施例中,所述绝缘保护层设有平面部,所述平面部位于所述绝缘保护层远离所述透明基板的一侧,所述平面部的平面度为0.1μm/mm2~2μm/mm2;所述平面部与所述金属导电层远离所述透明基板的一面之间的距离小于10微米。

一种透明导电体的制备方法,包括如下步骤:

在透明基板的一个表面上使用UV胶粘剂形成网络状的图案,预固化处理直至所述UV胶粘剂的粘度达到30000cps~50000cps后停止固化,形成网络状的UV胶粘层;

提供转印件,所述转印件包括基膜层及层叠于所述基膜层上的金属层,将所述转印件有所述金属层的一面与所述透明基板形成有所述UV胶粘层的所述表面相压合,固化处理直至所述UV胶粘层完全固化后,剥离所述基膜层,在所述透明基板上形成与所述UV胶粘层层叠的网络状的金属导电层,且组成所述金属导电层的网络的线条与组成所述UV胶粘层的网络的线条重合;其中,所述金属层的材料选自金、银、铜及铝中的一种;及

在所述透明基板形成有所述金属导电层的所述表面涂覆绝缘材料,经固化形成覆盖所述金属导电层的绝缘保护层,得到透明导电体。

在其中一个实施例中,在所述透明基板的一个表面使用所述UV胶粘剂形成所述网络状的图案的方法为:采用喷墨打印技术,并以所述UV胶粘剂为材料,在所述透明基板的一表面打印出所述网络状的图案。

在其中一个实施例中,所述网络状的图案的网络的线条的宽度为0.2微米~5微米,线间距为50微米~800微米。

在其中一个实施例中,转印件还包括位于所述金属层与所述基膜层之间的离型层;所述离型层的材料为硅油或石蜡;所述基膜层的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚亚酰胺树脂;所述金属层的厚度为0.5微米~5微米。

在其中一个实施例中,将所述转印件有所述金属层的一面与所述透明基板形成有所述UV胶粘层的所述表面相压合时所使用的装置为滚轮;压合时所用的压力为2kg/cm2~10kg/cm2;且涂覆的所述UV胶粘剂的厚度为1微米~5微米;所述UV胶粘剂的粘度为10cps~1000cps。

上述透明导电体包括透明基板、网络状的UV胶粘层、网络状的金属导电层及绝缘保护层,是通过采用UV胶粘层将金属导电层粘结在透明基板的表面,使用的导电材料是金属导电层,且金属导电层的材料选自金、银、铜及铝中的一种,避免了传统的使用氧化铟锡(ITO)这种昂贵的导电材料,从而降低了透明导电材料的成本,因此,上述透明导电体的成本较低。

附图说明

图1为一实施方式的透明导电体的结构示意图;

图2为图1所示的透明导电体的另一角度的结构示意图;

图3为一实施方式的透明导电体的制备方法的流程图;

图4为一实施方式的透明导电体的制备过程示意图。

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