[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201310043756.X | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN103943626B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 臧浩春 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/136;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种TFT阵列基板,包括: 第一基板; 位于所述第一基板上的栅极和扫描线; 位于所述栅极和扫描线上的栅极绝缘层; 位于所述栅极绝缘层上、所述栅极上方的有源层; 覆盖所述有源层的沟道区域的刻蚀阻挡层; 其特征在于,所述TFT阵列基板还包括覆盖所述扫描线的遮光层;所述遮光层和所述刻蚀阻挡层位于同一层,且均采用高阻遮光材料。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板还包括位于所述刻蚀阻挡层上并分别与所述有源层电连接的源极和漏极;与所述源极/漏极同层电连接的数据线;与所述漏极/源极电连接的像素电极。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述刻蚀阻挡层仅仅覆盖所述有源层的沟道区域;或者所述刻蚀阻挡层覆盖整个所述有源层。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述高阻遮光材料为有机光感高阻遮光材料。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述栅极位于所述沟道下方,并且仅仅遮挡所述沟道;或者所述栅极位于所述沟道下方,并且遮挡整个所述有源层。
6.一种显示面板,包括相对设置的彩膜基板和TFT阵列基板;所述TFT阵列基板为权利要求1-5任一项所述的TFT阵列基板。
7.根据权利要求6的所述显示面板,其特征在于,所述彩膜基板包括第二基板;位于所述第二基板朝向所述TFT阵列基板一侧的色阻单元阵列和黑色矩阵;所述扫描线对应的区域没有设置黑色矩阵。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述彩膜基板包括第二基板;位于所述第二基板朝向所述TFT阵列基板一侧的色阻单元阵列;位于所述第二基板背向所述TFT阵列基板一侧的抗反膜。
9.根据权利要求6-8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述彩膜基板和TFT阵列基板设置有液晶层或电子墨水层。
10.一种显示装置,包括利要求6-8任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的