[发明专利]增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器无效
| 申请号： | 201310045539.4 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103166584A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 包兴坤 | 申请（专利权）人： | 苏州硅智源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 电流 驱动 电容 负载 cmos 放大器 | ||
1.一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其特征是：第一和第二个双极晶体管的集电极连接到第一个电压，它们的基极相连以接收输入信号；
一个差分放大电路有第一和第二个输入、一个输出；
上述第一个双极晶体管的发射极连接到差分放大电路的一个输入，第二个双极晶体管的的发射极连接到另一个输入；
第一个MOS晶体管有源极、栅极和漏极，其中漏极连接到上述第二个双极晶体管的发射极，源极连接到第二个电压，栅极连接到上述差分放大器的输出；
第一个固定的电流源连接在上述第一个双极晶体管的发射极和第二个电压之间；
第二个MOS晶体管有源极、栅极和漏极，其中漏极连接到上述第一个双极晶体管的发射极，源极连接到第二个电压，从而第二个MOS晶体管与上述第一个固定的电流源并联，第二个MOS晶体管的栅极连接到上述差分放大器的输出，上述第一个双极晶体管的基极-发射极电压随着通过第一个MOS晶体管电流的增加而增加，由于一个增加的灌电流，上述第二个双极晶体管VBE的减小得到抵消。
2.根据权利要求1所述的一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其特征是：上述第一个双极晶体管的发射极和第二个MOS晶体管之间可以连接一个电阻。
3.根据权利要求1所述的一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其特征是：上述第二个双极晶体管的发射极与第一个MOS晶体管的漏极形成的节点和电路输出端之间可以连接一个电阻；
第三个双极晶体管的集电极连接到上述第一个电压，发射极连接到上述差分放大器的第一个输入，从而第三个双极晶体管与上述第一个双极晶体管并联，第三个双极晶体管的基极连接到电路的输出。
4.根据权利要求1所述的一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其特征是：上述差分放大电路包括第一和第二个CMOS晶体管对。
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