[发明专利]基于窄带干涉滤光片和主动标志器实现的适配系统有效
申请号: | 201310045732.8 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103116200A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 李金宗;朱兵;李冬冬;周东平 | 申请(专利权)人: | 李金宗 |
主分类号: | G02B5/28 | 分类号: | G02B5/28;H04N5/225 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 满靖 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 窄带 干涉滤光片 主动 标志 实现 系统 | ||
1.一种基于窄带干涉滤光片和主动标志器实现的适配系统,其特征在于:它包括窄带干涉滤光片、主动标志器、摄像装置,该窄带干涉滤光片置于该摄像装置的镜头前,该摄像装置与成像处理设备连接,工作在近红外波段的该主动标志器与该摄像装置的镜头相距的距离处于设定距离范围内,入射该窄带干涉滤光片的光束经由该窄带干涉滤光片滤光后被该摄像装置采集,其中:该窄带干涉滤光片的通带中心波长近似等于该主动标志器的峰值波长。
2.如权利要求1所述的适配系统,其特征在于:
所述窄带干涉滤光片包括由石英玻璃材料制成的基片,在该基片的上、下表面上分别镀制主峰膜系、截次峰膜系,其中:该主峰膜系为四半波膜系;该截次峰膜系为截次峰膜堆。
3.如权利要求2所述的适配系统,其特征在于:
所述主峰膜系为二氧化硅膜层、五氧化二铌膜层交替层叠而成,所述主峰膜系由至少48层膜层构成,每层该二氧化硅膜层的层厚与所述窄带干涉滤光片四分之一通带中心波长的比值介于0.5至1.5之间,每层该五氧化二铌膜层的层厚与所述窄带干涉滤光片四分之一通带中心波长的比值介于0.5至3.0之间;
所述截次峰膜系为二氧化硅膜层、五氧化二铌膜层交替层叠而成,所述截次峰膜系由至少118层膜层构成,每层该二氧化硅膜层的层厚与所述窄带干涉滤光片四分之一通带中心波长的比值介于0.2至2.0之间,每层该五氧化二铌膜层的层厚与所述窄带干涉滤光片四分之一通带中心波长的比值介于0.1至2.0之间。
4.如权利要求2或3所述的适配系统,其特征在于:
在所述窄带干涉滤光片的四周侧壁上涂敷黑色消光漆。
5.如权利要求1所述的适配系统,其特征在于:
所述主动标志器朝向所述窄带干涉滤光片辐射呈圆锥形的近红外光,所述主动标志器为至少三个近场主动标志器和/或至少三个远场主动标志器。
6.如权利要求2所述的适配系统,其特征在于:
当考虑所述窄带干涉滤光片的斜入射漂移和所述主动标志器的温度效应因素影响时,在所述主动标志器的发光器件处于室温及令光束准直入射窄带干涉滤光片的工作面的情况下,根据下式对所述窄带干涉滤光片的通带中心波长进行斜入射补偿,
在上式中,Tmax为温度上限,Tmin为温度下限,T0为室温,n0为所述窄带干涉滤光片的基片的折射率,e为与所述窄带干涉滤光片的膜层材料和膜系相关的参数,nH>e>nL,nH为所述主峰膜系、截次峰膜系中的五氧化二铌膜层的折射率,nL为所述主峰膜系、截次峰膜系中的二氧化硅膜层的折射率,θmax为倾斜入射所述窄带干涉滤光片的工作面的光束的最大斜入射角,TKλp为所述主动标志器的发光器件的温度系数,λ00为光束准直入射所述窄带干涉滤光片的工作面时所述窄带干涉滤光片的通带中心波长,λp0为所述主动标志器在室温时的峰值波长。
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