[发明专利]一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片有效
| 申请号： | 201310045805.3 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151342A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄柳莺;范晓琳;张毅;李奕辉;王睿 | 申请（专利权）人： | 上海空间推进研究所 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阀门 驱动 vmos 集成 芯片 | ||
1.一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，其包括多组功率开关，每一组功率开关作为一路阀门的输出，其中：所述功率开关包括第一功率MOS管V1、第二功率MOS管V2、第三功率MOS管V3、第四功率MOS管V4，所述第一功率MOS管V1和第二功率MOS管V2串联而成的左桥臂作为第一上下桥臂驱动端，所述第三功率MOS管V3和第四功率MOS管V4串联而成的右桥臂作为第二上下桥臂驱动端，所述左桥臂与右桥臂并联。
2.根据权利要求1所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，
当第一功率MOS管V1的端口AO1、第二功率MOS管V2的端口AO2为高电平，而第三功率MOS管V3的端口AO3、第四功率MOS管V4的端口AO4为低电平时，第一功率MOS管V1和第二功率MOS管V2导通，第三功率MOS管V3和第四功率MOS管V4截止，即该组功率开关的左桥臂导通；
当第三功率MOS管V3的端口AO3、第四功率MOS管V4的端口AO4为高电平，而第一功率MOS管V1的端口AO1、第二功率MOS管V2的端口AO2为低电平时，第一功率MOS管V1和第二功率MOS管V2截止，第三功率MOS管V3和第四功率MOS管V4导通，即该组功率开关的右桥臂导通；
第一功率MOS管V1的端口AO1、第二功率MOS管V2的端口AO2、第三功率MOS管V3的端口AO3和第四功率MOS管V4的端口AO4全为高电平时，该组功率开关的左桥臂、右桥臂均导通。
3.根据权利要求1或2所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，其外壳采用10#钢。
4.根据权利要求3所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，单路最大工作电流为4.5A。
5.根据权利要求1或2所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，其外壳采用可伐铬金。
6.根据权利要求5所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，单路最大工作电流为3A。
7.根据权利要求1或2所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，二次电源电压为+5V、+12V，功率电源电压为+28V。
8.根据权利要求1或2所述的多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，功率开关的组数为4组，分别驱动4路负载。
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