[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备有效
| 申请号： | 201310045824.6 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103966557A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成;黄德海 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 溅射 工艺 方法 设备 | ||
1.一种ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；
2）在预定时间之后向所述反应腔内通入工艺气体，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和
3）在所述启辉之后，通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述预定功率为300W。
3.根据权利要求2所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述直流溅射电源的预定电压为800V。
4.根据权利要求2所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述直流溅射电源的预定电压为300V。
5.根据权利要求3所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述启辉过程中的启辉电压为324V。
6.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述预定时间为3-6秒。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，在所述启辉和所述溅射过程中，所述反应腔内的工艺气体压力为2-5毫托。
8.根据权利要求7所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述工艺气体压力为2.8毫托。
9.一种ITO薄膜溅射设备，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔包含顶壁、基片支撑部件和靶材，所述靶材设置于所述顶壁且与设在所述反应腔室底部的基片支撑部件相对，其特征在于，还包括直流溅射电源，所述直流溅射电源耦接于所述靶材，其中在向所述反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，所述直流溅射电源对靶材施加预定功率，在预定时间之后向所述反应腔内通入工艺气体，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉，以及在所述启辉之后通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。
10.根据权利要求9所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述预定功率为300W。
11.根据权利要求10所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述直流溅射电源的预定电压为800V。
12.根据权利要求10所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述直流溅射电源的预定电压为300V。
13.根据权利要求11所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述启辉过程中的启辉电压为324V。
14.根据权利要求9所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述预定时间为3-6秒。
15.根据权利要求9-14中任一项所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，在所述启辉和所述溅射过程中，所述反应腔内的工艺气体压力为2-5毫托。
16.根据权利要求15所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述工艺气体压力为2.8毫托。
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