[发明专利]开关驱动器电路、电源系统和用于控制电源开关的方法有效
申请号: | 201310045879.7 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103248205A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 理查德·A·度尼佩茨 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08;H02M1/06;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;徐川 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 驱动器 电路 电源 系统 用于 控制 电源开关 方法 | ||
1.一种开关驱动器电路,包括:
电压-电流转换器电路,其被配置成接收以第一参考电位为参考的控制信号并且被配置成将所述控制信号转换为电流脉冲信号;
电流-电压转换器电路,其被配置成基于所述电流脉冲信号来产生开关驱动电压信号;其中,所述开关驱动电压信号以第二参考电位为参考;并且其中,所述开关驱动电压信号被配置成对电源开关的导通状态进行控制。
2.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述电压-电流转换器电路进一步被配置成从所述电流-电压转换器电路吸收所述电流脉冲信号。
3.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述电压-电流转换器电路包括双极结型晶体管(BJT),所述BJT耦合到以共源共栅布置的金属氧化物半导体(MOS)晶体管;其中,所述BJT还耦合到所述电流-电压转换器电路;并且其中,PWM信号被配置成对所述BJT和所述MOS晶体管的导通状态进行控制以产生所述电流脉冲信号。
4.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述电压-电流转换器电路包括电流限制电路,所述电流限制电路被配置成对所述电流脉冲信号的安培数进行限制。
5.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述电流-电压转换器电路进一步被配置成为所述电流脉冲信号提供电流。
6.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述第一参考电位是地电位,并且所述第二参考电位是相对于所述第一参考电位浮动的。
7.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述电源开关耦合到具有700伏特或更高伏特的直流电压的高压电源。
8.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述电源开关耦合到电源,其中,所述电源具有从低于所述第一参考电位的电压到400伏特或更高伏特的工作范围。
9.根据权利要求1所述的开关驱动器电路,其中,所述控制信号是脉冲宽度调制(PWM)信号,并且,所述开关驱动电压信号是浮动的PWM开关驱动电压信号。
10.一种电源系统,包括:
脉冲宽度调制(PWM)控制器电路,其被配置成产生以第一参考电位为参考的可控PWM信号;
电压-电流转换器电路,其被配置成接收所述PWM信号并且被配置成将所述PWM信号转换为电流脉冲信号;
电流-电压转换器电路,其被配置成基于所述电流脉冲信号来产生开关驱动电压信号;其中,所述开关驱动电压信号以第二参考电位为参考;以及
开关电源电路,其包括至少一个电源开关,所述至少一个电源开关耦合到高压电源,所述高压电源被配置成产生可控电源,其中,所述开关驱动电压信号被配置成对耦合到所述高压电源的电源开关的导通状态进行控制。
11.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述电压-电流转换器电路进一步被配置成从所述电流-电压转换器电路吸收所述电流脉冲信号。
12.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述电压-电流转换器电路包括双极结型晶体管(BJT),所述BJT耦合到以共源共栅布置的金属氧化物半导体(MOS)晶体管;其中,所述BJT还耦合到所述电流-电压转换器电路;并且其中,所述PWM信号被配置成对所述BJT和所述MOS晶体管的导通状态进行控制以产生所述电流脉冲信号。
13.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述电压-电流转换器电路包括电流限制电路,所述电流限制电路被配置成对所述电流脉冲信号的安培数进行限制。
14.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述电流-电压转换器电路进一步被配置成为所述电流脉冲信号提供电流。
15.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述第一参考电位是地电位,并且,所述第二参考电位是相对于所述第一参考电位浮动的。
16.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述高压电源是具有700伏特或更高伏特直流电压的电源。
17.根据权利要求10所述的电源系统,其中,所述开关电源电路是选自包括以下的组:桥式、降压、双端正向转换器,升压或双端回扫电源拓扑结构或者需要高端驱动器的其他电源供给拓扑结构。
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