[发明专利]用于堆叠IC设计中的跨芯片热和功率管理的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201310046336.7 申请日: 2013-02-05
公开(公告)号: CN103714189B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 傅宗民;沈武;黄博祥;游孟福;余基业 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 堆叠 ic 设计 中的 芯片 热和 功率 管理 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种计算机实现方法,包括:

访问存储在有形永久机器可读介质中的三维集成电路(3D-IC)模型,所述模型表示用于在一条件下制造和运行的3D-IC设计,所述3D-IC设计包括:

堆叠配置的多个元件;

在计算机处理器中输入功率曲线,所述功率曲线是运行时间的函数并且被应用于在所述条件下运行的3D-IC设计中的所述多个元件;

基于在功率输入和所述条件下运行的3D-IC设计,根据所述3D-IC模型在所述计算机处理器中生成瞬态温度曲线,所述瞬态温度曲线包括作为运行时间的函数的所述3D-IC设计的多点处的温度;

基于所述3D-IC设计识别相应运行时间间隔和所述多点的相应位置处的潜在热惩罚;以及

将表示所述3D-IC设计中的所述相应运行时间间隔和所述相应位置处的所述潜在热惩罚的数据输出。

2.根据权利要求1所述的方法,其中:

当基于所述3D-IC模型生成所述瞬态温度曲线时,所述3D-IC设计中的所述多个元件中的每个元件均表示为热阻容(RC)单元。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,基于所述3D-IC模型生成所述瞬态温度曲线包括:

基于热阻容(RC)网络模型对所述3D-IC设计中的所述多点中的每个点执行有限元分析。

4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:

在执行所述有限元分析之前,输入边界条件集合作为所述3D-IC设计的运行条件。

5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

基于表示所述3D-IC设计中的所述相应运行时间间隔和所述相应位置处的潜在热惩罚的数据,改变输入到所述计算机处理器中的作为所述运行时间的函数的所述功率曲线。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,改变所述功率曲线包括改变用于打开或关闭所述3D-IC设计中的所述多个元件中的至少一个元件的时间。

7.根据权利要求5所述的方法,其中,改变所述功率曲线包括改变应用于所述3D-IC设计中的所述多个元件中的至少一个元件的功率级。

8.根据权利要求5所述的方法,其中,改变所述功率曲线包括用于打开或关闭改变所述3D-IC设计中的所述多个元件中的至少一个元件的时间,以及改变应用于所述3D-IC设计中的所述多个元件中的至少一个元件的功率级。

9.一种计算机实现方法,包括:

访问存储在有形永久机器可读介质中的三维集成电路(3D-IC)模型,所述模型表示在一条件下制造和运行的3D-IC设计,所述3D-IC设计包括:

堆叠配置的多个元件;

在计算机处理器中输入功率曲线,所述功率曲线是运行时间的函数并且被应用于在所述条件下运行的所述3D-IC设计中的所述多个元件;

基于在功率输入和所述条件下运行的所述3D-IC设计,根据所述3D-IC模型在所述计算机处理器中生成瞬态温度曲线,所述瞬态温度曲线包括作为运行时间的函数的所述3D-IC设计的多点处的温度;

基于所述3D-IC设计识别相应运行时间间隔和所述多点中的相应位置处的潜在热惩罚;以及

基于表示所述3D-IC设计中的所述相应运行时间间隔和所述相应位置处的所述潜在热惩罚的数据,改变作为运行时间的函数的功率曲线,以减轻所述潜在热惩罚。

10.一种计算机实现系统,包括:

一个或多个处理器;以及

至少一个有形永久机器可读介质,其通过被所述一个或多个处理器执行的一个或多个程序编码以执行以下步骤:

访问存储在有形永久机器可读介质中的三维集成电路(3D-IC)模型,所述模型表示在一条件下制造和运行的3D-IC设计,所述3D-IC设计包括:

堆叠配置的多个元件;

在计算机处理器中输入功率曲线,所述功率曲线是运行时间的函数且被应用于在所述条件下运行的3D-IC设计中的所述多个元件;

基于在功率输入和所述条件下运行的所述3D-IC设计,根据所述3D-IC模型在所述计算机处理器中生成瞬态温度曲线,所述瞬态温度曲线包括作为运行时间的函数的所述3D-IC设计的多点处的温度;

基于所述3D-IC设计识别相应运行时间间隔和所述多点的相应位置处的潜在热惩罚;以及

将表示所述3D-IC设计中的所述相应运行时间间隔中和所述相应位置处的所述潜在热惩罚的数据输出。

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