[发明专利]用于减少除气作用的紫外线（UV）图案化的方法和装置

权利要求书

1.一种紫外线(UV)光刻装置，包括：

工作台，用于在其上接收要被图案化的衬底；

紫外线(UV)光源，将UV光引导至设置在所述工作台上的所述衬底；

气体输送源，使惰性气体在设置在所述工作台上的所述衬底的表面上方且紧邻该表面流动；以及

排气系统，具有能够排出所述惰性气体的排气口。

2.根据权利要求1所述的UV光刻装置，其中，所述UV光源包括发出具有约13.5nm波长的EUV光的远紫外线(EUV)光源。

3.根据权利要求2所述的UV光刻装置，其中，所述EUV光源进一步包括能够将所述EUV光引导至所述衬底的至少一个反射件以及使惰性气体在所述至少一个反射件的表面上方且紧邻该表面流动的另一气体源。

4.根据权利要求2所述的UV光刻装置，其中，所述气体输送源包括被设置为与所述衬底的所述表面平行的多个气体输送管，每一个所述气体输送管都具有相应的气体输送端口，所述气体输送端口环绕并面对所述衬底。

5.根据权利要求1所述的UV光刻装置，其中，所述气体输送源使所述惰性气体以约50sccm至约2000sccm的流速在所述表面上方流动，所述惰性气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、氙气和氡气中的至少一种，并且所述工作台是可移动的。

6.根据权利要求1所述的UV光刻装置，其中，所述工作台位于室内，所述气体输送源包括环绕所述工作台周围的开放通道并且所述排气口从所述室内排出所述惰性气体。

7.根据权利要求1所述的UV光刻装置，其中，所述工作台设置在室内并且所述排气口从所述室内排出所述惰性气体，并且所述UV光刻装置进一步包括将氢气输送到所述室的端口。

8.根据权利要求1所述的UV光刻装置，其中，所述气体输送源使层状的所述惰性气体在与所述衬底的表面平行的方向上流动。

9.一种在半导体器件上形成图案的方法，所述方法包括：

提供紫外线(UV)光刻装置，所述紫外线光刻装置包括用于在其上接收衬底的工作台；

将紫外线(UV)光束引导至设置在所述工作台上的衬底；

引导惰性气体在设置在所述工作台上的所述衬底的表面上方且紧邻该表面流动；以及

从所述衬底的表面排出所述惰性气体。

10.一种用于在半导体器件上形成图案的方法，所述方法包括：

提供远紫外线(EUV)光刻装置，所述远紫外线光刻装置包括用于在其上接收衬底的工作台和至少一个反射件；

通过所述至少一个反射件的反射将EUV光束引导至设置在所述工作台上的涂覆有光刻胶的衬底；

通过从至少部分地环绕所述工作台的开放通道输送惰性气体来使层状的所述惰性气体在所述衬底的表面上方且紧邻该表面流动；以及

从所述衬底的表面排出所述惰性气体；

其中，所述惰性气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、氙气和氡气中的至少一种。