[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年5月4日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0047465的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明总体而言涉及一种半导体集成电路，更具体而言涉及一种改变半导体装置中的时钟频率的机制。

背景技术

一般地，半导体装置通过将命令与时钟的边沿同步来执行读取操作或写入操作。

例如，半导体装置将命令与时钟的上升沿同步，并且将命令提供给内部电路。应当在时钟的上升沿到达之前提供命令预定的时间，以保证半导体装置处于备用状态，以在时钟的上升沿处精确地识别并且接收命令。此外，命令的电平即使在时钟的上升沿之后也应当保持预定的时间，以保证半导体装置准确地执行由命令指示的模式。

在用于同步的时钟的边沿到达之前应当提供命令的预定时间被称作为建立时间，并且应当保持命令的电平的预定时间被称作为保持时间。

图1是现有的半导体装置的命令锁存器单元的框图。半导体装置的命令锁存器单元包括锁存器部10，所述锁存器部10接收命令CMDB并与时钟CLK同步地输出内部命令ICMD。命令CMDB可以是多个命令，诸如芯片选择信号CS、激活信号ACT、行地址选通信号RAS、列地址选通信号CAS以及写入使能信号WE。因此，半导体装置的命令锁存器单元可以由多个锁存器部来组成以锁存各个命令。

图2a和图2b是现有的半导体装置的命令锁存器单元的时序图。

一般地，通过将诸如芯片选择信号CS、激活信号ACT、行地址选通信号RAS、列地址选通信号CAS、写入使能信号WE等的多个命令CMDB组合来执行半导体装置的读取或写入操作。因而，如果如图2a所示那样，命令CMDB的脉冲宽度的时钟CLK的一个周期（1*tCK）相同，则内部命令ICMD具有与命令CMDB的脉冲宽度相同的建立/保持时间，并且半导体装置可以准确地执行由命令CMDB指示的模式。

然而，如果如图2b所示那样，命令CMDB的脉冲宽度比时钟CLK的一个周期（1*tCK）大，则内部命令ICMD具有与命令CMDB的脉冲宽度不同的建立/保持时间，并且半导体装置不能精确地识别由命令CMDB指示的模式。在内部命令ICMD的脉冲宽度改变的情况下，半导体装置不能根据输入信号执行操作模式。

发明内容

在本发明的一个实施例中，一种半导体装置包括：时钟频率改变模块，所述时钟频率改变模块被配置成通过响应于将多个内部时钟的输出使能的设定命令和模式寄存器组信号，将外部时钟的频率分频，来输出具有不同频率的多个内部时钟，并且产生标志信号以表示输出的完成；以及命令发生模块，所述命令发生模块被配置成接收命令，并且响应于标志信号和模式寄存器组信号来产生设定命令。

在本发明的另一个实施例中，一种半导体装置包括：时钟频率改变模块，所述时钟频率改变模块被配置成通过响应于允许进入用于改变时钟频率的模式的频率改变信号和设定为允许产生多个内部时钟的无操作命令，而将外部时钟分频，来产生具有不同频率的多个内部时钟，并且响应于无操作命令而产生频率改变结束信号以表示完成所述用于改变时钟频率的模式；以及命令发生模块，所述命令发生模块被配置成接收命令，并响应于频率改变信号和频率改变结束信号而产生无操作命令。

附图说明

结合附图来描述本发明的特点、方面以及实施例，其中：

图1是现有的半导体装置的命令锁存器单元的框图；

图2a是当命令CMDB的脉冲宽度与根据图1的时钟CLK的一个周期（1*tCK）相同时的时序图；

图2b是当命令CMDB的脉冲宽度比根据图1的时钟CLK的一个周期（1*tCK）大时的时序图；

图3是根据本发明的一个实施例的半导体装置的示意性框图；

图4是图3中所示的同步脉冲发生单元的详细电路图；

图5是图3中所示的命令移位器的详细电路图；

图6是图3中所示的时钟发生单元的详细电路图；

图7是图3中所示的感测单元的详细电路图；以及

图8是根据本发明的实施例的半导体装置的操作时序图。

具体实施方式

在下文中，将经由各种实施例参照附图来描述根据本发明的半导体装置。

图3是根据本发明的一个实施例的半导体装置的示意性框图。

参见图3，根据本发明的一个实施例的半导体装置包括时钟频率改变模块700和命令发生模块800。