[发明专利]一种在硅基底刻蚀通孔的方法在审
| 申请号： | 201310046733.4 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103972155A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 许颂临 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基底 刻蚀 方法 | ||
1.一种在硅基底刻蚀通孔的方法，所述硅基底表面涂覆有光刻胶掩膜层，所述的刻蚀方法在等离子体刻蚀室内进行，其特征在于：所述方法包括下列步骤：提供含氟的第一气体到等离子体刻蚀室内，所述第一气体用于对硅基底进行刻蚀；提供含硅的第二气体到等离子体刻蚀室内，所述的第二气体还包括碳氧化合物，所述第二气体中O2含量小于5%。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的碳氧化合物为CO、CO2中的一种或两种的混合气体，所述CO或/和CO2流量为50sccm-300sccm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含氟的第一气体包括SF6或NF3中的一种或两种的混合气体，所述SF6或/和NF3的气体流量范围为100sccm-500sccm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二气体包括SiF4、SiCl4中的一种或两种的混合气体，所述SiF4和/或SiCl4的气体流量范围为50sccm-300sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二气体中所述碳氧化合物气体的比例和所述含硅气体的比例为4:1—1:1。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二气体包括NO、NO2中的一种或两种的混合气体。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一气体包括Cl2、HBr中的一种或两种的混合气体，所述Cl2和/或HBr的气体流量范围为50sccm-200sccm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室为电感耦合等离子体刻蚀室或电子回旋共振刻蚀室。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的高频功率源的功率范围为500w-1000w，低频功率源的功率范围为50w-100w，所述等离子体刻蚀室内的压力范围为20mT-100mT。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一气体和第二气体同时注入等离子体刻蚀室内。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一气体和第二气体交替注入等离子体刻蚀室内。
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