[发明专利]压阻式高频动态土应力传感器及制备方法

权利要求书

1.压阻式高频动态土应力传感器，包括传感器壳体（7）、应力敏感组件、信号调理放大电路（11）和引出电缆（13），其特征在于，所述应力敏感组件包括基底（1）—绝缘隔离层（2）—应变电阻（3）—绝缘保护层（5）构成的结构；且所述应力敏感组件通过高硼硅玻璃（6）封接于传感器壳体（7）前端的固支台阶（18）。

2.根据权利要求1所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,所述基底（1）层为高杨氏模量的不锈钢膜片,所述传感器壳体（7）由高质量日立合金制成，所述应变电阻（3）为半导体应变电阻。

3.根据权利要求1或2所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,所述应变电阻（3）为掺硼P型微晶硅应变电阻。

4.根据权利要求1或2所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,绝缘隔离层（2）和绝缘保护层（5）由二氧化硅绝缘材料制备而成。

5.根据权利要求1所述的压阻式高频动态土应力传感器，其特征在于,所述应力敏感组件还包括设在应变电阻外周的调整电阻。

6.一种应力敏感组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在基底层上用离子束溅射一层绝缘隔离层（2）；

（2）在力敏区的绝缘隔离层（2）上用化学气相沉积法制备掺硼P型微晶硅应变电阻（3），然后用光刻腐蚀工艺制作对应变敏感的电阻片，构成惠斯通电桥；

（3）用掩膜溅射方法制备一系列阻值不同的NiCr调整电阻（19）和相应的金电极（4）；

（4）用离子束溅射一层绝缘保护层（5）。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于,掺硼P型微晶硅可由PECVD或ICP化学气相沉积法制备。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于,绝缘隔离层（2）和绝缘保护层（5）由二氧化硅绝缘材料制备而成。