[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，包括以下按照记载顺序的步骤：

在单晶n型硅基板的后表面之上形成具有150-250nm厚度的SiNx膜；

在SiNx膜形成步骤之后在所述n型硅基板的受光表面上形成纹理；

在纹理形成步骤之后在所述n型硅基板的受光表面之上形成p型扩散层；

通过热氧化法在所述p型扩散层之上形成由SiO₂膜构成的第二钝化膜；以及

在所述基板的受光表面侧上和后表面侧上形成电流抽取电极，其中形成电流抽取电极的步骤包括：在所述基板的后表面侧的所述SiNx膜上印刷导电糊剂的步骤，以及焙烧所述糊剂以烧结所述导电糊剂并导致它烧过所述SiNx膜而在所述电流抽取电极与所述基板之间进行电接触的步骤，

其中所述SiNx膜在所述纹理的形成期间充当处理掩模，在所述p型扩散层的形成期间充当扩散掩模，在所述SiO₂膜的形成期间充当氧化掩模，且充当在太阳能电池的所述基板的所述后表面上的第一钝化膜。

2.根据权利要求1的方法，还包括在所述第二钝化膜之上形成抗反射膜的步骤。

3.一种太阳能电池的制造方法，包括以下按照记载顺序的步骤：

在p型半导体基板的后表面之上形成n型扩散层；

在所述n型扩散层之上形成具有50-250nm厚度的SiNx膜；

在SiNx膜形成步骤之后在所述p型半导体基板的受光表面上形成纹理；

在纹理形成步骤之后，通过热氧化法在所述p型半导体基板的受光表面之上形成由SiO₂膜构成的第二钝化膜；以及

在所述基板的受光表面侧上和后表面侧上形成电流抽取电极，

其中所述SiNx膜在所述纹理的形成期间充当处理掩模，在所述SiO₂膜的形成期间充当氧化掩模，且充当在太阳能电池的所述n型扩散层上的第一钝化膜。

4.根据权利要求3的方法，还包括在所述第二钝化膜之上形成抗反射膜的步骤。

5.一种太阳能电池，包括：

仅在受光表面上具有纹理的单晶n型硅基板；

在所述n型硅基板的后表面之上形成的由SiNx膜构成的第一钝化膜；

在所述n型硅基板的所述受光表面之上形成的p型扩散层；

在所述p型扩散层之上形成的并由SiO₂膜构成的第二钝化膜；以及

在所述基板的受光表面侧和后表面侧上形成的电流抽取电极，

所述太阳能电池是通过根据权利要求1的制造太阳能电池的方法制造的。

6.一种太阳能电池，包括：

仅在受光表面上具有纹理的p型半导体基板；

在所述p型半导体基板的后表面之上形成的n型扩散层；

在所述n型扩散层之上形成的由SiNx膜构成的第一钝化膜；

在所述p型半导体基板的所述受光表面之上形成的且由SiO₂膜构成的第二钝化膜；以及

在所述基板的受光表面侧和后表面侧上形成的电流抽取电极，

所述太阳能电池是通过根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法制造的。