[发明专利]基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法

权利要求书

1.一种基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤一，对洁净的绝缘体上硅片（1）进行干氧氧化处理，氧化温度850～950°C，O₂流量15～20sccm，N₂流量45～60sccm，氧化时间10～25min，形成20～30nm厚的二氧化硅膜（2）；

步骤二，利用感应耦合等离子增强化学气相淀积在二氧化硅膜上形成一层100～400nm厚的多晶硅（3）；

步骤三，旋涂1～3μm厚的光刻胶（4）使其覆盖多晶硅（3）；

步骤四，用步进式光刻机进行光刻，焦距-1～0.5，曝光时间120ms～160ms，形成光刻胶图像（5）；

步骤五，用深硅感应耦合等离子刻蚀去除没有被光刻胶图像（5）覆盖的多晶硅，SF₆流量40～80sccm，C₄F₈流量40～60sccm，等离子功率700～800W，刻蚀时间30～35s，然后，先后用丙酮和酒精洗去残余的光刻胶图像，形成多晶硅掩膜（6）；

步骤六，进行再次干氧氧化处理，氧化温度1000～1100°C，O₂流量15～20sccm，N₂流量45～60sccm，氧化时间30～45min，形成氧化层（7）与剩余多晶硅掩膜（8）；

步骤七，在室温25°C下利用氟化铵腐蚀液去除氧化层，利用碱性溶液去除残余多晶硅，得到180～350nm厚的硅波导（9）。

2.根据权利要求1所述的基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法，其特征在于，所述的氟化铵腐蚀液体积比为氢氟酸：氟化氨＝1：20。

3.根据权利要求1所述的基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法，其特征在于，所述的感应耦合等离子增强化学气相淀积是使托盘温度350°C，SiH₄流量5～10sccm，H₂流量15～25sccm，等离子功率2000～2500W，射频功率150～200W。