[发明专利]多倍频程抑制微型腔体滤波器

权利要求书

1.一种多倍频程抑制微型腔体滤波器，其特征在于：包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口（P1）、输入电感（Lin）、由第一电感（L1）和第一电容（C1）并联而成的第一级并联谐振单元（L1、C1）、第一耦合电感（L12）、由第二电感（L2）和第二电容（C2）并联而成的第二级并联谐振单元（L2、C2）、第二耦合电感（L23）、由第三电感（L3）和第三电容（C3）并联而成的第三级并联谐振单元（L3、C3）、交叉耦合电感（L13）、输出电感（Lout）、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口（P2）和接地端；输入端口（P1）与输入电感（Lin）连接，输出端口（P2）与输出电感（Lout）连接，该输出电感（Lout）与输入电感（Lin）之间并联第一级并联谐振单元（L1、C1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）和第三级并联谐振单元（L3、C3），在第一级并联谐振单元（L1、C1）与第二级并联谐振单元（L2、C2）之间串联第一耦合电感（L12）；第二级并联谐振单元（L2、C2）与第三级并联谐振单元（L3、C3）之间串联第二耦合电感（L23）；交叉耦合电感（L13）的一端与输入电感（Lin）、第一级并联谐振单元（L1、C1）、第一耦合电感（L12）的公共端相连接，另一端与输出电感（Lout）、第三级并联谐振单元（L3、C3）、第二耦合电感（L23）的公共端相连接；所述的第一级并联谐振单元（L1、C1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）和第三级并联谐振单元（L3、C3）的另一端分别接地。

2.根据权利要求1所述的多倍频程抑制微型腔体滤波器，其特征在于：表面贴装的50欧姆阻抗输入端口（P1）、输入电感（Lin）、第一级并联谐振单元（L1、C1）、第一耦合电感（L12）、第二级并联谐振单元（L2、C2）、第二耦合电感（L23）、第三级并联谐振单元（L3、C3）、交叉耦合电感（L13）、输出电感（Lout）、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口（P2）和接地端均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，其中输入电感（Lin）、交叉耦合电感（L13）、输出电感（Lout）均采用分布参数的带状线实现，第一级并联谐振单元（L1、C1）的电感（L1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）的电感（L2）、第三级并联谐振单元（L3、C3）的电感（L3）均采用分布参数圆柱形腔体结构实现，第一级并联谐振单元（L1、C1）的电容（C1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）的电容（C2）、第三级并联谐振单元（L3、C3）的电容（C3）均采用介质平板电容实现；第一耦合电感（L12）采用第一并联谐振单元（L1、C1）和第二并联谐振单元（L2、C2）之间空间耦合和分布参数电感实现；第二耦合电感（L23）采用第二并联谐振单元（L2、C2）和第三并联谐振单元（L3、C3）之间空间耦合和分布参数电感实现。

3.根据权利要求1或2所要求的多倍频程抑制微型腔体滤波器，其特征在于：第一级并联谐振单元（L1、C1）、第二级并联谐振单元（L2、C2）、第三级并联谐振单元（L3、C3）均采用分布参数圆柱形腔体耦合结构实现，其中第一级并联谐振单元（L1、C1）的电感（L1）的一端、第二级并联谐振单元（L2、C2）的电感（L2）的一端、第三级并联谐振单元（L3、C3）的电感（L3）的一端分别接地，另一端分别与对应的第一级并联谐振单元（L1、C1）的电容（C1）的一端、第二级并联谐振单元（L2、C2）的电容（C2）的一端、第三级并联谐振单元（L3、C3）的电容（C3）的一端相连，第一级并联谐振单元（L1、C1）的电容（C1）的另一端、第二级并联谐振单元（L2、C2）的电容（C2）的另一端、第三级并联谐振单元（L3、C3）的电容（C3）的另一端分别接地。