[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

存储单元阵列，存储多页数据；

页缓冲器，锁存并输出从存储单元阵列的第一位置读取的源页，经由编程过程将经错误处理后的页写入存储单元阵列的第二位置；以及

错误校正电路，检测或校正通过输入/输出线从页缓冲器输出的源页的错误，并转移回页缓冲器作为经错误处理后的页，

其中，该错误校正电路包括：

校验位产生器，在复制过程中由源页产生新校验位；

比较器，比较旧检验位和新校验位，并产生涉及累进位错误的地址信息信号；和

错误校正逻辑电路，修改累进位错误，

其中，该源页包括旧校验位。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述页缓冲器响应于列门信号将源页转移到错误校正电路。

3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述页缓冲器包括：

读出逻辑，从存储单元阵列中读出源页；

锁存单元，具有多个锁存器，用于存储和输出从读出逻辑提供的源页；以及

列解码块，响应于列门信号通过输入/输出线将源页转移到输入/输出线。

4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述列解码块包括至少两个列门，列门响应于列门信号而将锁存单元与输入/输出线耦接。

5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述列解码块选择多个锁存器，以响应于列门信号通过输入/输出线顺序地输出源页。

6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述列门信号包括主要信号和次要信号，被配置为通过输入/输出线输出从锁存单元顺序地输出的源页。

7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储单元阵列是NAND闪存。

8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中，所述存储单元阵列具有多个页，并且其中第一位置和第二位置中的每个与一页对应。

9.一种非易失性存储器系统中的复录方法，所述存储器系统包括存储单元阵列，该方法包括：

将存储单元阵列的第一位置的源页存储到页缓冲器中；

响应于列门信号，通过输入/输出线将源页从页缓冲器转移到错误校正电路；

处理源页的错误，以检测错误并当检测到错误时校正错误；

将经错误处理后的源页从错误校正电路转移回页缓冲器；以及

将经错误处理后的源页复制到存储单元阵列的第二位置，

其中，检测错误并当检测到错误时校正错误包括：

在复制过程中由源页产生新校验位；

比较旧检验位和新校验位，并产生涉及累进位错误的地址信息信号；和

修改累进位错误，

其中，该源页包括旧校验位。

10.根据权利要求9所述的复录方法，其中，所述页缓冲器包括锁存单元，用于存储源页并从错误校正电路接收经错误处理后的源页。

11.根据权利要求10所述的复录方法，其中，在将源页从页缓冲器转移到错误校正电路的步骤中，响应于列门信号通过输入/输出线将源页发送到错误校正电路。

12.根据权利要求11所述的复录方法，其中，提供列门信号以在锁存单元中选择多个锁存器，用于经由输入/输出线顺序地发送到错误校正电路，直到源页的全部数据被发送到错误校正电路为止。

13.根据权利要求9所述的复录方法，其中，在处理源页的错误的步骤中，由时钟信号来驱动错误校正电路。