[发明专利]电子束描绘装置及电子束描绘方法

权利要求书

1.一种电子束描绘装置，其特征在于，具有：

载物台，载放试样；

电子镜筒，配置有出射电子束的电子枪和具备排列在所述电子束的轴向上的电极的静电透镜；以及

电压供给单元，始终对所述静电透镜施加正电压。

2.如权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，

从所述电压供给单元对所述静电透镜施加0V～250V的范围内的正电压。

3.如权利要求2所述的电子束描绘装置，其特征在于，

从所述电压供给单元对所述静电透镜施加平均100V～200V的正电压。

4.如权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，

具有屏蔽板，该屏蔽板设置在所述载物台和所述电子镜筒之间，屏蔽所述电子束向所述试样照射而产生的反射电子或二次电子。

5.如权利要求4所述的电子束描绘装置，其特征在于，

所述静电透镜配置在所述屏蔽板的正上方，而改变所述电子束的焦点位置。

6.如权利要求5所述的电子束描绘装置，其特征在于，具有：

第一孔隙，将从所述电子枪出射的电子束成形；

第二孔隙，将透射了所述第一孔隙的电子束进一步成形；

照明透镜，将所述电子束照明到所述第一孔隙；

投影透镜，将透射了所述第一孔隙的电子束投影到所述第二孔隙；以及

物镜，将透射了所述第二孔隙的电子束对焦，

所述照明透镜、所述投影透镜及所述物镜均为磁场型透镜，

所述静电透镜配置在所述物镜和所述屏蔽板之间。

7.一种电子束描绘方法，从配置在电子镜筒内的电子枪出射电子束，在载放在载物台上的试样上描绘规定的图案，该电子束描绘方法的特征在于，

始终对在所述电子束的轴向上排列有电极的静电透镜施加正电压。

8.如权利要求7所述的电子束描绘方法，其特征在于，

在所述载物台和所述电子镜筒之间配置屏蔽板，该屏蔽板屏蔽所述电子束向所述试样照射而产生的反射电子或二次电子，

将所述静电透镜配置在所述屏蔽板的正上方，而改变所述电子束的焦点位置。

9.如权利要求8所述的电子束描绘方法，其特征在于，具有：

利用照明透镜将从所述电子枪出射的电子束照明到第一孔隙的工序；

利用投影透镜将透射了所述第一孔隙的电子束投影到第二孔隙的工序；

利用物镜将透射了所述第二孔隙的电子束对焦的工序；以及

经由所述静电透镜将透射了所述物镜的电子束照射到所述试样的工序。

10.如权利要求9所述的电子束描绘方法，其特征在于，

对所述静电透镜施加0V～250V的范围内的正电压。

11.如权利要求10所述的电子束描绘方法，其特征在于，

对所述静电透镜施加平均100V～200V的正电压。