[发明专利]一种掺杂稀土元素的光伏薄膜材料

权利要求书

1.一种掺稀土元素的光伏薄膜材料，其特征在于，以稀土元素和光伏薄膜材料进行掺杂，获得掺稀土元素的光伏薄膜材料，所述光伏材料为单晶硅、多晶硅、非晶硅、多元化合物、有机聚合物中的一种。

2.根据权利要求1所述的光伏薄膜材料，其特征在于，向第六主族元素X与过渡族金属A构成的化合物中掺杂稀土元素R，即得掺稀土元素的光伏薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述第六主族元素与过渡族金属构成的氧化物与稀土氧化物混合，烧制形成陶瓷靶材，利用分子束外延或磁控溅射的方法生长掺稀土元素A-R-O单晶、多晶或非晶的光伏薄膜材料。

4.根据权利要求2所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述第六主族元素与过渡族金属构成的硫化物粉末与稀土硫化物粉末混合，烧制形成陶瓷靶材，利用分子束外延或磁控溅射的方法生长掺稀土元素A-R-S单晶、多晶或非晶的光伏薄膜材料。

5.根据权利要求2所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述第六主族元素与过渡族金属构成的硒化物高纯靶材与稀土金属靶材利用分子束外延或磁控溅射共溅射的方法生长掺稀土元素A-R-Se单晶、多晶或非晶的光伏薄膜材料。

6.根据权利要求2所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述第六主族元素与过渡族金属构成的锑化物高纯靶材与稀土金属靶材利用分子束外延或磁控溅射共溅射的方法生长掺稀土元素A-R-Te单晶、多晶或非晶的光伏薄膜材料。

7.根据权利要求2所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述第六主族元素与过渡族金属构成的锑化物高纯靶材、高纯Ga靶材以及稀土金属靶材利用分子束外延或磁控溅射共溅射的方法生长掺稀土元素A-R-Ga-Te单晶、多晶或非晶的光伏薄膜材料，

所述第六主族元素与过渡族金属构成的硒化物高纯靶材、高纯Ga靶材以及稀土金属靶材利用分子束外延或磁控溅射共溅射的方法生长掺稀土元素A-R-Ga-Se单晶、多晶或非晶的光伏薄膜材料。

8.根据权利要求1所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述稀土元素单质和多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，高温烧制，得到掺杂稀土元素的单晶硅光伏薄膜材料。

9.根据权利要求1～8任一所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述稀土元素R为Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu，过渡族金属A为Cu、Zn或Cd，第六主族元素X为O、S、Se或Te。

10.根据权利要求9所述的光伏薄膜材料能作为太阳能电池的光伏薄膜材料。