[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成设置在具有顶部表面的衬底上的种子层；

在所述种子层上形成图案化抗蚀剂层；

在所述种子层的未被所述图案化抗蚀剂层覆盖的区域上形成金属线；以及

利用包括氧化物质和还原物质的等离子处理移除所述图案化抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述还原物质配置成在所述等离子处理期间防止所述金属线和所述种子层的氧化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属线包括元素铜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述元素铜为铜合金或纯铜的形式。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属线包括选自由镍、金、银、和铂组成的组中的元素。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属线包括顶部表面，并且其中，所述金属线的顶部表面的总表面积至少为所述衬底的顶部表面的表面积的50%。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属线通过电化学沉积工艺形成。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述种子层和下面的电介质层之间形成阻挡层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属线的厚度至少为2μm，并且其中，所述图案化抗蚀剂层的厚度至少为5μm。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属线的厚度为大约2μm到大约15μm，并且其中，所述图案化抗蚀剂层的厚度为大约5μm到大约25μm。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属线包括顶部表面，并且其中，所述金属线的顶部表面的总表面积至少为衬底的顶部表面的表面积的50%。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物质包括氧气，并且其中，所述还原物质包括水蒸气。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述氧气的流动速度与所述水蒸气的流动速度的比率为大约1:2到大约1:10。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物质包括氧气，并且其中，所述还原物质包括一氧化碳。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物质包括氧气，并且其中，所述还原物质包括氢气。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子处理的等离子体化学物质包括以大约300sccm到大约800sccm的速度流动的氮气、以大约500sccm到大约1500sccm的速度流动的氧气、以大约2000sccm到大约3000sccm的速度流动的水蒸气，其中，等离子室内的压力为大约300mTorr到大约1000mTorr，其中，所述等离子室的温度为大约200°C到大约300°C，并且其中，通过2000W到大约3000W的微波功率产生等离子体。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，在移除所述图案化抗蚀剂层之后，所述金属线的露出表面基本上没有金属氧化物。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，在移除所述图案化抗蚀剂层之后，所述金属线上的金属氧化物层的厚度在0.1nm到大约20nm之间。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，形成金属线包括形成降落垫。

20.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成种子层；

在所述种子层上形成图案化抗蚀剂层；

在所述图案化抗蚀剂层之间形成金属线；以及

在等离子处理的第一阶段，利用所述等离子处理移除所述图案化抗蚀剂层的第一部分，其中，在所述第一阶段期间，所述等离子处理的第一等离子体化学物质包括氧化物质和还原物质，

在所述等离子处理的第二阶段期间，移除在所述第一阶段形成在所述金属线上形成的金属氧化物颗粒，其中，在所述第二阶段期间，所述等离子处理的第二等离子体化学物质比所述第一等离子体化学物质的还原性更大；以及

在所述等离子处理的第三阶段，利用所述等离子处理移除所述图案化抗蚀剂层的第二部分，其中，在所述第三阶段期间，所述等离子处理的第三等离子体化学物质包括所述氧化物质和所述还原物质。