[发明专利]终点侦测方法及化学机械抛光系统的抛光方法

权利要求书

1.一种终点侦测方法，其特征在于，所述侦测方法至少包括步骤：

1)先利用红外探测器在垂直方向上探测晶圆抛光过程中的表面温度变化；

2)获取晶圆表面温度梯度随时间变化的曲线；

3)最后根据所述的温度梯度随时间变化的曲线判断抛光的终点，所述温度梯度随时间变化的曲线从上升再到平稳，上升到平稳的拐点处即为抛光的终点。

2.一种化学机械抛光系统的抛光方法，其特征在于，所述抛光方法至少包括：

1)将抛光头置于抛光垫上，使晶圆和抛光垫相接触，其中，所述晶圆至少包括基底层和位于基底层上的待抛光层，所述待抛光层与基底层具有不同的导热系数；

2)对所述晶圆进行化学机械抛光制程；

3)利用红外探测器对晶圆表面红外辐射进行探测，获得晶圆表面的温度变化信息，进而从数据处理分析系统获取晶圆抛光表面温度梯度随时间变化的曲线；

4)根据所述的温度梯度随时间变化的曲线判断抛光终点，结束化学机械抛光制程，所述温度梯度随时间变化的曲线从上升再到平稳，上升到平稳的拐点处即为抛光的终点。

3.根据权利要求2所述的化学机械抛光系统的抛光方法，其特征在于：晶圆与抛光垫中的透明窗口相接触。

4.根据权利要求2所述的化学机械抛光系统的抛光方法，其特征在于：所述步骤4)之前还包括步骤：控制系统响应于温度梯度随时间变化的曲线来调整所述抛光头施加在晶圆上的压力分布，以便晶圆表面抛光更加均匀。