[发明专利]制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法

说明书

技术领域

本文中所讨论的实施例涉及一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。

背景技术

晶片级封装（wafer level package，WLP）被认为是包含诸如裸芯片的半导体元件（电子部件）的半导体封装（半导体装置）的示例。WLP也被称为晶片级芯片尺寸封装（wafer-level chip size package，WL-CSP）或晶片芯片尺寸封装（wafer chip size package，W-CSP）。WLP使位于裸芯片端部的端子能够在芯片区域内（即，扇入）被重新布置。此外，因为随着裸芯片的端子数量增加难以在芯片区域内对端子进行重新布置，所以使端子能够在芯片区域之外（即，扇出）重新布置的WLP也正在被开发。

在已知的制造这种半导体封装的方法中，半导体元件附着到由粘接性材料组成的被设置在支承构件上的粘接片或粘接层，并用树脂密封以形成伪晶片；将伪晶片与粘接层分离；布线层形成在伪晶片的与粘接层分离的表面上；以及切割伪晶片。由此，获得了单独的半导体封装。在该制造方法中，通过例如紫外线照射、化学处理或加热处理来降低粘接层的粘接性来将伪晶片与粘接层分离。

在另一种已知的方法中，粘接层由下述粘接性材料构成：其具有相对于用于密封半导体元件的树脂有效的脱模性（release property）和溶剂的溶解度。

如下是相关技术的示例：美国专利第7202107B2号的说明书、日本专利第4403631号和日本特开专利公开第2002-299500号。

在将形成在粘接层上的伪晶片（基片）与粘接层分离的方法中，可对粘接层进行紫外线照射、化学处理或加热处理，以降低粘接层的粘接性。

一旦粘接层的粘接性降低，无论如何都难以重复使用粘接层，并且每次形成伪晶片时使用新的粘接层。因此，难以降低用于制造半导体装置（半导体封装）的工时和成本。此外，使用如上面描述那样制造的半导体装置，也会增加电子装置的成本。

发明内容

在一个方面，本发明的实施例提供了用于降低工时和成本的半导体装置和电子装置的制造方法。

根据本发明的一个方面，一种制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在该第一粘接层上设置膜；在该膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。

本发明的目的和优点将通过在权利要求中具体指出的要素和组合得以实现和获得。

应该被理解的是，前面的一般性描述和以下的详细描述对于所要求保护的本发明都是示例性和解释性的，而不是限制性的。

附图说明

图1A至图1C示出了制造半导体装置的方法的示例（第1部分）；

图2A至图2D示出了制造半导体装置的方法的示例（第2部分）；

图3A至图3D示出了另一种制造半导体装置的方法；

图4A和图4B示出了粘接层的配置的示例；

图5A和图5B示出了形成粘接层的方法的示例（第1部分）；

图6A和图6B示出了形成粘接层的方法的示例（第2部分）；

图7A和图7B示出了膜的配置的示例；

图8示出了半导体装置的制造过程的示例（第1部分）；

图9示出了半导体装置的制造过程的示例（第2部分）；

图10示出了半导体装置的制造过程的示例（第3部分）；

图11示出了半导体装置的制造过程的示例（第4部分）；

图12示出了半导体装置的制造过程的示例（第5部分）；

图13示出了半导体装置的制造过程的示例（第6部分）；

图14示出了半导体装置的制造过程的示例（第7部分）；

图15示出了半导体装置的制造过程的示例（第8部分）；

图16A至图16D示出了半导体装置的制造过程的示例（第9部分）；

图17A至图17D示出了半导体装置的制造过程的示例（第10部分）；以及

图18示出了电子装置的示例。

具体实施方式