[发明专利]白光发光器件及其制作方法有效
申请号: | 201310048884.3 | 申请日: | 2013-02-07 |
公开(公告)号: | CN103094269A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 江彦志;黄少华;赵志伟 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 发光 器件 及其 制作方法 | ||
1.白光发光器件,包括:无机发光二极管与有机发光二极管,两者以并联方式做电性结合,其特征在于:所述无机发光二极管叠置于所述有机发光二极管之上,所述无机发光二极管包含n(n≥1的整数)个独立单元,当器件通电后,激发无机发光二极管和有机二极管发光,两者混合从而发出白光。
2.根据权利要求1所述的白光发光器件,其特征在于:所述无机发光二极管包含n(n≥2的整数)个独立单元,其电性连接方式为串联。
3.根据权利要求2所述的白光发光器件,其特征在于:所述无机发光二极管与有机发光二极管的电性连接方式为:所述无机发光二极管分为m(m≥2的整数)个模组,各个无机发光二极管模组为一个独立单元或多个独立单元串联而成,所述m个模组与有机发光二极管做并联电性结合。
4.根据权利要求1所述的白光发光器件,其特征在于:所述无机发光二极管与有机发光二极管并联的形式为直接并联或倒装并联形式。
5.根据权利要求4所述的白光发光器件,其特征在于:还包括第一衬底,其具有第一表面与第二表面;所述无机发光二极管形成于第一表面上,所述有机发光二极管形成于第二表面上。
6.根据权利要求5所述的混合式白光发光器件,其特征在于:所述白光发光器件的尺寸与所述第一衬底的尺寸一致。
7.根据权利要求4所述的白光发光器件,其特征在于:所述有机发光二极管还包含第二衬底,其具有第一表面与第二表面,所述有机发光二极管形成于第一表面上,所述无机发光二极管倒装形成于所述有机发光二极管之上。
8.根据权利要求1所述的白光发光器件,其特征在于:所述有机发光二极管具有一个或一个以上的主动发光层,且具一个或一个以上的发光波长,其不与无机发光二极管波长重叠。
9.根据权利要求8所述的白光发光器件,其特征在于:所述白光发光器件发出白光的方式为440nm~470nm蓝光无机发光二极管搭配530~560nm绿光及610nm~640nm红光有机发光二极管来达成。
10.根据权利要求8所述的白光发光器件,其特征在于:所述白光发光器件发出白光的方式为530~560nm绿光无机发光二极管搭配 440nm~470nm蓝光及610nm~640nm红光有机发光二极管来达成。
11.根据权利要求8所述的白光发光器件,其特征在于:所述白光发光器件发出白光的方式为610nm~640nm红光无机发光二极管搭配440nm~470nm蓝光及530~560nm绿光有机发光二极管来达成。
12.根据权利要求8所述的白光发光器件,其特征在于:所述白光发光器件发出白光的方式为200nm~400nm紫外光无机发光二极管搭配440nm~470nm蓝光、530~560nm绿光及610nm~640nm红光有机发光二极管来达成。
13.白光发光器件的制作方法,包括步骤:
1)分别制作无机发光二极管和有机发光二极管,其中所述无机发光二极管叠置于所述有机发光二极管之上,所述无机发光二极管包含n(n≥1的整数)个独立单元;
2)并联连接所述无机发光二极管与所述有机发光二极管,当器件通电后,激发无机发光二极管和有机二极管发光,两者混合从而发出白光。
14.根据权利要求13所述的白光发光器件的制作方法,所述步骤1)包括:
提供第一衬底,其具有两个表面;
在所述第一衬底的第一表面上外延生长N型半导体材料层、主动发光层和P型半导体材料层,形成无机发光二极管;
在所述第一衬底的第二表面上直接蒸镀透明性阳极、电洞传输层、主动发光层、电子传输层与反射式的阴极,形成有机发光二极管。
15.根据权利要求13所述的白光发光器件的制作方法,所述步骤1)包括:
提供第一衬底,其具有两个表面,在所述第一衬底的第一表面上外延生长N型半导体材料层、主动发光层和P型半导体材料层,形成无机发光二极管;
提供第二衬底,其具有两个表面,在所述第二衬底的第一表面上依次蒸镀透明性阳极、电洞传输层、主动发光层、电子传输层、反射式阴极,形成有机发光二极管;
将所述无机发光二极管倒装置于所述有机发光二极管上。
16.根据权利要求14或15所述的白光发光器件的制作方法,所述步骤2)为:将所述有机发光二极管的透明性阳极与无机发光二极管的P型半导体材料层做连接,反射式的阴极与无机发光二极管的N型半导体材料层做连接。
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